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WAN Min MO Zhi-wen 《中国电子科技》2005,3(3):284-287
Grammar inference (GI) encompasses theory and methods for the inference of any structure that can recognize a language-be it a grammar, an automaton, or some other procedure-from training data. It has many applications[1,2]. And many methods are developed to carry out it[3~5]. However, relative fewer efforts have been made to infer a grammar using evolution strategies (ES). We believe that ES is suitable for the inference of a language due to their direct coding scheme and their simple way … 相似文献
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MO YUANLONG GUO XINGUI LANG DUNYU SUN JIAHONG LI JIAYIN LIU SHENGGANG 《International Journal of Electronics》2013,100(6):1049-1054
An experimental 75 GHz gyrotron has been designed and manufactured in our research institute. There are two different types of tube operating at the TE521 ○ and TE041 ○ modes, respectively, and at the second harmonic. A laminar flow magnetron injection gun is used so that the velocity spread due to the space-charge effect is greatly reduced. 相似文献
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超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清... 相似文献
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用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致. 相似文献
80.
射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块. 相似文献