纯Al及铝合金在熔融Na中的腐蚀特性研究

本文研究了纯Ａｌ及Ａｌ－１２＾Ｓｉ合金在液态Ｎａ中的腐蚀特性,研究结果表明,高纯Ａｌ在液态Ｎａ中不受腐蚀,但９９．８％,９９．５％的纯Ａｌ及Ａｌ－Ｓｉ合金在３５０－５００℃受到液态Ｎａ的侵蚀,并在材料中形成ＡｌＮａＳｉ腐蚀产物。纯Ａｌ及Ａｌ及Ａｌ－Ｓｉ合金在液态Ｎａ中的腐蚀机制是由液态Ｎａ与在Ａｌ中的Ｓｉ反应所引进的。     

PARTICLE STIMULATED NUCLEATION AND THE FORMATION OF RSCRYSTALLIZATION TEXTURE IN Al-Mn ALLOY CONTAINING PARTICLES Ⅱ. Interaction Between Particles and Other Nucleation Sites and the Formation of Recrystallization Texture

本文报了Ａｌ－Ｍｎ合金形昧形变取向基体中粒子周围亚晶转动规律及对应的粒子促进形核晶粒的取向特征的基础上,进一步测定了处在晶界,立方带上的了周转新晶粒的取向分布。     

应用“软开关—PWM”技术的逆变式弧焊机的研究

利用脉宽调制移相控制原理和结合软开关准揩振技术的优点,形成一种“软开关－ＰＷＭ”技术,并将该技术应用于逆变式弧焊机中。介绍了该逆变式弧焊机的构成,工作原理及特点。     

Fe—16Al基合金与Fe—28Al基合金的形变与再结晶织构

研究了Ｆｅ１６Ａｌ（摩尔分数,％,下同）基合金与Ｆｅ２８Ａｌ基合金的温轧形变与再结晶织构。结果表明,ＦｅＡｌ合金系中,不同Ａｌ含量对塑性变形及再结晶机制的影响是与由Ａｌ含量不同引起的结构变化密切相联系的。Ｆｅ１６基合金形变与再结晶行为与纯ＢＣＣ金属类似。Ｆｅ２８Ａｌ基合金变形时外力对织构形成有敏感影响,变形时晶界的应变协调能力较弱。且再结晶后晶粒取向分布有明显的随机化倾向。     

Ni74.5Pd2Al23.5有序合金中的超点阵内禀层错

应用ＴＥＭ研究了Ｌ１２长程有序结构Ｎｉ７４．５Ｐｄ２Ａｌ２３．５合金的室温变形组织。研究结果表明：添加Ｐｄ元素韧化的Ｎｉ７４．５Ｐｄ２Ａｌ２３．５合金的变形组织中存在着大量超点阵内禀层错。绝大部分层错的边界位错是沿〈０１１〉分布的肖克莱偏位错环,其中３０°的ａ／３〈１１２〉超肖克莱位错处于固定状态。这类位错的可动性较差,但其固定程度较合金中普遍存在的ＫｅａｒＷｉｌｓｄｏｒｆ固定位错要弱。     

Al—Mg—Sc合金的再结晶

采用硬度、金相和透射电镜等分析测试手段研究了一种ＡｌＭｇＳｃ合金的再结晶温度和再结晶形核机制。结果表明：合金的再结晶起始温度为３７５℃,终了温度为５２０℃;合金再结晶温度高的原因是细小弥散的Ａｌ３Ｓｃ质点对位错和亚晶界的钉扎作用;合金的再结晶形核机制为亚晶合并和亚晶长大的双重作用。     

N503萃淋树脂吸附镉的研究

研究了Ｎ５０３（Ｎ,Ｎ二仲辛基乙酰胺）萃淋树脂在氢溴酸、硫酸－溴化钠体系中对镉的吸附性能。探讨了Ｎ５０３萃淋树脂在氢溴酸体系中吸附镉的动力学和机理,发现Ｎ５０３萃淋树脂吸附镉的反应按拟一级反应进行,并符合Ｆｒｅｕｎｄｌｉｃｈ等温吸附式。由斜率法和饱和容量法确定Ｎ５０３萃淋树脂吸附镉的反应,镉以ＣｄＢｒ－３形式吸附在Ｎ５０３萃淋树脂上,镉与Ｎ５０３的摩尔比为１∶３。     

面心立方金属板材单轴拉伸织构的演变

采用速率敏感晶体塑性理论,预测了面心立方金属板材单轴拉伸过程中主要理想取向的稳定性。结果表明,相对于拉伸坐标系而言,稳定性较好的理想取向,主要包括稳定取向Ｇ｛１１０｝〈００１〉Ｔ和亚稳取向Ｂ｛１１０｝〈１１２〉Ｔ与Ｓ｛１２３｝〈６３４〉Ｔ,以及在不同初始塑性应变比（Ｒ值）条件下可能成为稳定或亚稳取向的Ｃｕ｛１１２｝〈１１１〉Ｔ与Ｐ｛１１０｝〈１１１〉Ｔ和Ｃ｛１００｝〈００１〉Ｔ。取向ＲＧ｛１１０｝〈１１０〉Ｔ和ＲＣｕ｛１１２｝〈１１０〉Ｔ的稳定性较差。理想取向所对应的织构组分的稳定性与之相似     

合金元素对Laves相TiCr2力学性能的影响

研究了合金元素Ｎｂ,Ｍｏ,Ｖ和Ｎｉ对Ｌａｖｅｓ相ＴｉＣｒ２室温力学性能的影响,测量了抗压断裂强度、抗压断裂应变、显微硬度及断裂韧性。结果表明,这些元素都能改善ＴｉＣｒ２的室温力学性能,其中Ｎｂ的作用较小,而Ｖ和Ｎｉ的作用较大,明显地降低抗压断裂强度和显微硬度,提高断裂韧性     

预制块制备对挤压铸造SiCW／ZM5复合材料性能的影响

制备了含不同粘结剂的ＳｉＣ晶须预制块,并采用挤压铸造法制备出含不同粘结剂的ＳｉＣｗ／ＺＭ５镁基复合材料,对其组织结构和力学性能进行了研究。结果表明,采用含酸性磷酸铝粘结剂制备的ＳｉＣｗ／ＺＭ５镁基复合材料的性能最佳,这可能和粘结剂与晶须以及基体合金的界面反应有关