低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率

首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率。针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气/氩气(Cl2/Ar)气体体系,通过优化射频功率、ICP功率、气体流量以及相应的真空度,得到了良好的刻蚀端面,对于材料造成的损伤较低,得到更好的I-V特性。实验结果表明,采用低损伤的偏压功率刻蚀后制作的LED器件,出光功率提升一倍以上,同时采用Cl2/Ar气体体系,改善了器件的I-V特性,有效提高了LED的出光效率。     

"自上而下"法制备高性能GaN纳米线阵列

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1 000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。     

基于边缘信息的运动模糊图像的鲁棒盲复原

为获得适用于不同模糊图像且简捷的图像盲复原方法,提出了一种稳健的从单幅模糊图像中求取模糊核并对图像去模糊的图像盲复原方法。根据模糊图像与非模糊图之间的边缘关系求模糊核,并在多尺度框架下针对各个子算法设定自适应参数,从而构建一个稳健的图像盲复原方法。对复原结果用4种无参考的图像质量评价方法的评价结果显示,本文方法在噪声和...     

国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律.实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad (Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和.相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间.两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著.并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨.     

模拟绿色植物光谱的填料设计与涂层制备研究

用高吸水材料、干叶粉、铬绿为原料,以新鲜植物叶片的反射光谱特征为模拟参照依据,设计了一种类植物光谱特征的填料,并将其加入到聚氨酯基体中制备成涂层。在较宽波长范围内对该涂层的反射光谱进行了研究,并用 SEM 对涂层的微观形貌进行了表征。实验结果表明,该涂层在400～2500 nm波段与植物叶片的反射光谱特征相一致,其相关系数达到0.9601,实现了对植物叶片反射光谱的高相似度模拟。     

平板WIFI定向天线的研究

针对WIFI通信频段,构建并研究了一种平板结构的小尺寸增益天线,借助HFSS仿真技术,讨论了天线的定向辐射特性和阻抗匹配特性随着平面尺寸以及板间距离变化的关系。该天线工作在频率为2.4 GHz附近区域,谐振点回波损耗小于-25 d B,辐射功率前后比达到5 d B,具有较强的定向辐射能力。通过构建天线实验模型并进行测试,较好地验证了理论与实验的一致性。     

InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。     

多频声频率成分与感知倒谱距离的初步研究

通过理论计算和主观实验,研究了多频声频率成分在不同频响曲线下与感知倒谱距离和主观评价之间的关系.针对所选定的9种频响曲线和7种节目信号,当频率范围为1～10 kHz之间时,感知倒谱距离与主观评价的相关系数最高仅为0.93,最低为0.80,7种信号中只有3种的主客观相关系数高于0.90.而当频率范围为50～15 000 Hz时,感知倒谱距离与主观评价的相关系数最大达到了0.96,最低为0.85,7种信号中有5种的主客观相关系数都高于0.90.从而得出了在频率成分个数较少的情况下,频率范围比频率间隔需要更优先考虑的结论.     

迷彩斑点单元形状和尺寸研究

分析目标伪装所面临的侦察威胁,从人眼的分辨率和伪装斑点设计的原则出发,确定伪装斑点设计的基本单元的形状和尺寸,得出结论.