爆炸箔起爆系统初始电阻对爆发电流和飞片速度影响的数值模拟

研究了电爆炸箔起爆系统起爆回路初始电阻对爆发电流和冲击片雷管飞片速度的影响规律，分析了影响电爆炸箔起爆系统体系的因素，为在可靠发火条件下降低起爆系统体积提供设计参考。     

固液相变蓄能的数学模型和自然对流换热系数的实验研究

引入自然对流换热系数 ,将固液蓄能数学模型简化为仅用能量方程加以描述。并通过实验测得相变过程的实际温度场 ,证明了自然对流固液相变换热的影响不可忽略 ,验证了固液相变界面移动速率随自然对流换热系数的增大而增大的定性关系     

检测骨架图形特征点的新方法

端点、折点、歧点和交点是骨架图形的重要特点是，提出用快速查表法检测侯选特征点，再进行侯选特征点聚集，用局部结构分析，去除假特征点，判别真特征点的类型，并对折点给以大致的定量描述。实验结果表明，该方法能快速有效地找出骨架图形的特征点，在目标识别、字符识别等应用中起着关键作用。     

西安脉冲堆计算值和实测结果分析

介绍了西安脉冲堆堆芯布置、计算模型和程序以及计算值与实验测量结果分析。西安脉冲堆在满功率（2MW）下连续运行了72小时，证明西安脉冲堆整个系统和设备是良好的、安全可靠的。根据西安脉冲堆计算值与测量值的比较，证明计算程序可靠，具有较高精度。西安脉冲堆理论计算值与实验测量值符合较好，完全满足工程设计要求，实验测量结果达到了设计指标的要求。     

采用信息融合技术的IR／MMW复合导引头的目标跟踪

从误差测量环节入手，基于IR／MMW双模结构，采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度，最终达到降低制导误差，提高武器性能的目的，仿真结果验证了该方法的有效性。     

高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能

制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0．26Cu0．05Zr0．026)7．0，研究了磁性能与工艺条件的关系．结果表明：提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大，但是使Hci降低；适当提高真空预烧温度，可使材料在较低烧结温度下致密化，具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性．真空预烧温度过高使性能的急剧降低，其主要原因是Sm的析出．在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为：Br1．08T3Hci2286kA／m，Hcb932kA／m，(BH)max220．8kJ／m^3；β20-200℃为-0．19％／℃．     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性研究

测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性，讨论了颗粒形态，加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明，随着加热电压的升高，电阻响应-恢复的速度和程度明显加大；断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱．     

基于VHDL实现单精度浮点数的加／减法运算

研究了单精度浮点数加／减法的结构及其设计方法，并在Aldec公司的Active—HDL软件环境下，采用VHDL语言进行设计，并进行了仿真验证，计算精度可以达到10^-7。