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993.
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。 相似文献
994.
通过飞秒脉冲激光(50 fs,800 nm,1 kHz,2 mJ)沉积技术在n型Si(100)单晶基片上制备了ZnO薄膜.详细研究了基片温度变化以及退火处理对ZnO薄膜的结构、表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射(XRD)结果表明,不同温度下(20~350℃)生长的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,并且呈c轴择优取向;当基片温度为80℃时,薄膜沿(002)晶面高度择优生长;当基片温度为500℃时薄膜沿(103)晶面择优生长,场发射扫描电子显微镜(FEEM)结果表明薄膜呈纳米晶结构,并观察到了ZnO的六方结构.进一步通过透射光谱的测量讨论了基片温度及退火处理对ZnO薄膜光学透射率的影响,结果表明退火后薄膜的透射率增大. 相似文献
995.
对下一代移动通信系统的小区间动态干扰协调算法进行研究,通过分析干扰水平,负载状况,基站的调节能力以及用户的位置,通过负载因子变化来接纳控制,提高边缘用户的数据传输速度,保证小区用户的公平性。通过上行功率控制及接纳算法改进方案;同时对小区用户划分区域设定,提出了小区间干扰协调的改进算法(ICPF), 并进行系统仿真计算分析,结果表明和以往传统算法相比,系统性能得到有效改进,进一步提高了系统公平性并增加小区边缘用户的吞吐量。 相似文献
996.
研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程 相似文献
997.
光纤通信系统中,驱动放大器用于驱动电光调制器完成电光转换功能,40Gb/s光通信系统对驱动放大器的指标要求为带宽、增益和输出信号电压峰峰值。南京电子器件研究所在国内首次利用0.2μm的GaAs PHEMT工艺成功设计并完成了驱动放大器芯片, 相似文献
998.
类型识别是编译器开发中的一项重要工作,也是语义分析中的一个最重要组成部分。本论文以JE4VB(Java Editon for VB)系统开发为背景,介绍将VB代码移植成Java代码的高级编译器中的类型识别问题。通过研究了4GL编译器语义分析过程中的类型识别问题,根据给出的抽象语法树和符号表,提出类型识别的解决方案,并给出详细的实现算法。 相似文献
999.
通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb-水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 相似文献
1000.