全文获取类型
收费全文 | 36056篇 |
免费 | 1018篇 |
国内免费 | 5403篇 |
专业分类
电工技术 | 2783篇 |
综合类 | 5278篇 |
化学工业 | 2920篇 |
金属工艺 | 5671篇 |
机械仪表 | 2167篇 |
建筑科学 | 1793篇 |
矿业工程 | 892篇 |
能源动力 | 665篇 |
轻工业 | 2124篇 |
水利工程 | 923篇 |
石油天然气 | 3995篇 |
武器工业 | 337篇 |
无线电 | 3733篇 |
一般工业技术 | 2334篇 |
冶金工业 | 1174篇 |
原子能技术 | 1545篇 |
自动化技术 | 4143篇 |
出版年
2022年 | 38篇 |
2021年 | 46篇 |
2020年 | 75篇 |
2019年 | 46篇 |
2018年 | 28篇 |
2017年 | 94篇 |
2016年 | 51篇 |
2015年 | 74篇 |
2014年 | 404篇 |
2013年 | 341篇 |
2012年 | 568篇 |
2011年 | 4175篇 |
2010年 | 2101篇 |
2009年 | 1202篇 |
2008年 | 1299篇 |
2007年 | 926篇 |
2006年 | 1140篇 |
2005年 | 1360篇 |
2004年 | 4494篇 |
2003年 | 2704篇 |
2002年 | 2721篇 |
2001年 | 1770篇 |
2000年 | 1173篇 |
1999年 | 2048篇 |
1998年 | 1456篇 |
1997年 | 1393篇 |
1996年 | 745篇 |
1995年 | 652篇 |
1994年 | 565篇 |
1993年 | 2114篇 |
1992年 | 1672篇 |
1991年 | 1161篇 |
1990年 | 1128篇 |
1989年 | 854篇 |
1988年 | 530篇 |
1987年 | 311篇 |
1986年 | 215篇 |
1985年 | 124篇 |
1984年 | 81篇 |
1983年 | 53篇 |
1982年 | 45篇 |
1981年 | 34篇 |
1980年 | 75篇 |
1979年 | 62篇 |
1965年 | 59篇 |
1963年 | 25篇 |
1959年 | 28篇 |
1958年 | 28篇 |
1957年 | 34篇 |
1956年 | 22篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
本文介绍一种智能型、高精度PWR控制器SA4828,其控制实行全数字化产生三相脉宽调制波形.本文采用此器件设计大功率直流电源应用于22KW直流电机测试,对感性负载表现出具有纹波小,响应迅速、硬件电路简洁、控制简单易于编写的优点。 相似文献
13.
近两年.IP电话又叫网络电话的发展受到全球的关注。随着宽带接入的发展,基于宽带接入提供的网络电话具有了更大的生命力。从宽带电话的经营模式出发,探究这类业务的出现时现有话音业务市场的影响,进而分析这类业务的发展前景。 相似文献
14.
岩石物理横波速度曲线计算技术 总被引:15,自引:3,他引:12
横波速度是地震勘探中的重要参数。针对实际生产中缺乏横波速度测井曲线资料,利用经验公式计算精确度不高的问题,通过对横波速度计算理论模型的研究分析,选择Blot-Gassman模型法,利用岩石矿物成分、流体成分、孔隙度及密度等测井曲线进行横波速度测井曲线的计算,并对横波速度计算技术和流程进行研究。在实际工区进行了横波速度曲线计算,计算结果与实测横波吻合程度较高,误差小于10%,该技术在储层和流体识别预测的应用中取得了较好效果。 相似文献
15.
分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况.探讨了手机游戏业务的模式.论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。 相似文献
16.
17.
吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。 相似文献
18.
19.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
20.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献