仲钨酸铵成核期晶体生长速率研究

采用将最终产品粒度组成与生长质量速率的测试结果结合的方法研究了钟钨酸铵(APT)成核期晶体的线生长速率()和结晶速率()。试验条件下APT成核期的值为1.0～137um/min,值为1.8～16.5g/min.dm~3。提高起始WO_3和NH_4Cl浓度、增大加热强度,将使和大幅度升高。~(max)出现时间提早。过大的搅拌强度虽可减少连生体的生成,但由于面积A增大、过饱和度△C变小、以及晶体破碎加剧,将使和值下降。APT连生体的生成使成核前、后期的值分别升高和降低。破碎晶体存在的生长散布现象导致和的平均值略为下降。与WO-4~(2-)的聚合反应相比,上述因素对相变反应的影响较大。     

仲钨酸铵结晶成核速率的研究

提出了仲钨酸铵（APT）蒸发结晶过程酸碱反应→仲钨酸根A－B转变→相交的成核机理.讨论了现有直接统计的方法测定APT成核速率的困难.将最终产品的粒度分布数据与一定结晶时刻晶体生长质量速率的测试结果相结合，建立了APT成核速率的研究方法.并在研究APT晶体生长机理的基础上分析了大小晶粒线生长速率的差异，以及破碎、晶粒附聚和二次成核给结果带来的可能偏差.     

初始速率法研究仲钨酸铵晶体线生长级数

应用“初始速率法”研究了仲钨酸铵(APT)晶体的线生长级数。采用不同初始钨浓度下,APT成核期晶体线生长速率最大值(L·max)和平均线生长速率(L·)作为“初始速率”,测出的APT晶体线生长级数分别为0.93和0.79。     

NH_4Cl-NH_3·H_2O-H_2O系仲钨酸铵结晶成核级数研究

在不同初始浓度下,采用“最大成核速率法”和“成核期积分平均速率法”研究了仲钨酸铵(APT)结晶的成核级数。测出的APT结晶成核级数分别为1.88和2.15。     

钼酸铵结晶成核速率研究

用酸碱质子理论解释钼酸铵结晶过程。在讨论钼酸铵成核机理的基础上，研究了不同酸化速度下四钼酸铵（ＡＱＭ）结晶的成核速率。结果表明，ＡＱＭ结晶溶液过饱和具有持续升高的特征。与晶体生长相比，成核速率的过程阶数更大。大量晶核的生成是过饱和消除的主要因素。ｐＨ＜２．５以后，降低加酸速度是控制成核速率、制取粒度粗、分布窄的ＡＱＭ晶体的关键。     

粗颗粒仲钨酸铵生成条件及其动力学基础研究(Ⅱ)──添加晶种和(NH_4)_2WO_4溶液的作用

研究了仲钨酸铵结晶过程添加晶种和（NH4）2WO4溶液对增大产品Fsss粒度、松装密度和改善颗粒均一性的作用。结果表明，在最早成核的核前缔合物形成时加入晶种效果最佳。由于部分“惰性晶粒”的存在以及二次成核加剧，加入细碎晶种时，APT产品中小于45μm的晶体较多；过快或过早加入（NH4）2WO4溶液都使APT产品的均一性下降。     

仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究

研究了掺入NH4Cl下仲钨酸铵（APT）的晶形变化，探讨了生长机理与晶体生长速率（LN）的关系在计算LN值时采用了将最终产品位度组成与生长质量速率结合的方法．结果表明：NH3·H2O－H2O系APT按二维核或位错机理生长，晶体表面光滑，层状结构明显，部分小晶体具有螺卷状结构．NH4Cl-NH3·H2O－H2O系APT生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制．大颗粒晶体表面粗糙多孔，晶面界限不明，呈现生长丘形态．均相成核期内晶核长大到一定尺寸时开始生成大小不一的由复合贯穿和复合接触孪晶构成的连生体．NH4Cl掺入促进连生体形成．表面粗糙及连生体多的APT松装比重下降、流动性差．     

仲钨酸铵结晶母液深度脱除氨氮的研究

采用添加碱性浓钨酸钠料液转化-镁盐沉淀深度脱氨工艺,使仲钨酸铵结晶母液脱除氨氮.研究结果表明,经此处理溶液中的氨氮含量可除至0.042 g/L,氨氮的除去率达98.88％.将所得钨酸钠溶液稀释10倍用于配制交前液进行离子交换,交后液中的氨氮浓度小于0.0005％,可达国家排放标准.     

微米级细颗粒仲钨酸铵的制备及其工艺研究

在探明温度、溶液浓度、搅拌强度对仲钨酸铵粒度影响的基础上,研究了表面活性剂制备微米级仲钨酸铵的工艺。     

微米级细颗粒仲钨酸铵的制备及其工艺研究

在探明温度、溶液浓度,搅拌强度对仲钨酸铵粒度影响的基础上,研究了表面活性剂制备微米级仲钨酸铵的工艺。