混菌发酵牛蒡子转化合成牛蒡子苷元的研究

牛蒡子苷元(Arctigenin,ARG)是一种重要的广谱抗肿瘤药物。为利用微生物转化法制备牛蒡子苷元,以牛蒡子粉为底物以黑曲霉(Aspergillus niger)和里氏木霉(Trichoderma reesei)为菌种,混菌发酵转化合成牛蒡子苷元,利用高效液相色谱(High Performance Liqued Chromatography,HPLC)分析测定牛蒡子苷元。通过单因素试验对20L发酵罐进行最佳条件研究,结果表明：接种量为15%、发酵温度为29℃、搅拌转速为350r/min、通气量为1.0VVM。在单因素试验的基础上,采用Box-Behnken中心组合试验原理设计响应面方法优化工艺条件,得到最优发酵工艺条件为：接种量为14%、发酵温度为29℃、搅拌转速为335r/min、通气量为0.9VVM。在此条件下,牛蒡子苷元增加量为17.24mg/mL、牛蒡子苷转化率为98.7%。研究结果为微生物发酵转化合成牛蒡子苷元提供理论和实践基础,拓展了天然药用植物开发的路径。     

数据库冗余备份及灾难恢复系统在广播电视监测监管行业中的应用探讨

本文以Oracle数据库为例,从数据库安全机制和安全策略两方面分析其安全,并着重介绍Oracle DataGuard数据库安全模式的搭建与应用,分析了其在数据备份及灾难恢复方面的优点,同时对Oracle数据库容灾备份安全系统在广播电视监测监管行业的应用前景进行了探讨.     

面向Ti-6Al-4V合金的开缝芯棒孔挤压强化次数研究

为了探究挤压强化次数对开缝芯棒性能的影响,实现孔挤压强化工具的可重复使用,分析了开缝芯棒孔挤压强化工艺,开展了开缝芯棒20次孔挤压强化Ti-6Al-4V合金试验,研究了挤压强化次数对开缝芯棒孔挤压强化效果的影响。结果表明,开缝芯棒20次孔挤压强化过程中,挤压力、工作环直径和孔结构孔径波动平缓,未发生显著变化;开缝芯棒的挤压部位存在划痕,工作环直径与孔结构孔径的变化在加工误差范围内;开缝芯棒的划痕对Ti-6Al-4V合金孔结构挤压强化效果影响不大,开缝芯棒孔挤压强化能够实现孔挤压强化工具的重复使用。     

品质源于永不放弃的创新——MUL—T—LOCK（模帝乐）在中国

如果说要创造一个天下无贼的世界只是一个梦想,那么也许可以说,以色列MUL-T—LOCK公司在某种程度上实现了这个梦想。它所创造的绝不仅仅是一个成立三十八年的企业。     

动态电压恢复器的负载电流直接控制策略

动态电压恢复器能有效抑制电力系统电压跌落和隔离电网谐波,改善电能质量,因而具有广阔的应用前景.传统的动态电压恢复器一般为电压源型逆变器,需要实时检测电网电压的状况以计算差值,对信号检测的实时性和控制的快速性提出了较高的要求.提出了一种以控制串联变压器工作电流来约束负载额定电流,从而间接控制负载额定电压的方法.实验结果验证了该方法准确性和可行性.     

钳形电流表校准不确定度的分析与评定

钳形电流表理想的校准方法是用标准电流源对一根无限长导线加测试电流,并使该导线垂直穿过被校钳形表的几何中心.根据等安匝原理,实验室常用多匝校验线圈代替单根导线对钳型表进行校准,如此只需小电流即可对钳形表大电流量程进行校准,但是校验线圈这种校准方法会引入新的测量不确定度.本文分别从被测导体偏心度和倾斜度以及不同校验线圈对钳形表铁心磁感应强度的影响等几方面进行分析,并给出钳形电流表校准不确定度评定的具体方法与步骤.     

基于轻量化渐进式残差网络的图像快速去模糊

基于深度学习的去模糊方法已经取得了较大进展,但是随着网络层数加深,去模糊网络需要更多的计算资源和内存消耗,难以用于实际场景。针对目前的去模糊网络参数量大、运算时间长等问题,该文设计了一种轻量快速的渐进式残差去模糊网络。该网络使用浅层残差网络作为基准模型,可充分利用图像的局部特征信息,加强反向传播时的信息流通。同时,通过多阶段递归调用残差网络并进行参数共享,可大大简化网络模型,减少网络参数。为了进一步提高去模糊网络的特征重建能力,该文引入特征重标定模块进行特征融合,对输入图像与各个残差网络的输出特征图进行通道加权,并对特征图的空间信息进行自适应选择,实现更好的特征重建。实验结果表明,所提算法网络模型参数量小、运行速度快,大幅度领先于现有算法,且对各种空域可变模糊去除均可实现理想复原效果。     

微波辐射计对月面特征参数的遥感理论模拟

根据现有的多通道被动辐射计技术，讨论微波辐射遥感月壤月岩特征参数的几个问题。由半空间非均匀温度、介电廓线分布的耗散介质的月壤模型与WKB方法，计算了月壤的多通道微波辐射传输的权重函数与相应的穿透深度。提出模拟多层月壤月岩的多层密集粒子介质辐射传输的一种建模，在各有关参数条件下计算了各通道的多层月壤月岩辐射亮度温度。并以此结果为理论观测，讨论了月壤厚度等参数反演可予以实施的方法。     

溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.