黄铜应力腐蚀裂纹与应力分量的关系SCIEI

利用黄铜Ⅱ型和Ⅲ型试样研究了应力腐蚀裂纹形核位置和扩展方向与应力分量的关系。结果表明,裂纹在最大正应力处形核,扩展方向与最大正应力相垂直.在Ⅲ型试样中,氨浓度对裂纹扩展形态有影响,氨浓度较高时,由于均匀腐蚀的作用,在45°面上的裂纹很不明显;在氨浓度较低时,则可看到沿试样圆周有许多45°面裂纹,裂纹间隔在10—150μm之间,而在具有最大剪应力的扭转面上则没有裂纹形成。     

黄铜应力腐蚀开裂的电位前驱效应

摘要将微区电位涮萤系统应用于应力腐蚀研究中.洲最了缺口前端的电位分布及其在开裂过程中的变化。测量结果表明.无应力时.缺口周围电位起伏较小.只隐约勾画出缺口的轮廓。施加应力后.缺口周围形成电位峰.但基本上是对称分布的。经过一段时间后.电位分布发生不对称变化.在最大正应力方向出观活性点.继而形成一条活性通道.预示着裂纹即将形核。继续进行实验.则出现可见裂纹。在该应力腐蚀测最系统中可以测量裂纹形成的孕育劁和形陔位置。     

Cu晶体内椭球裂纹愈合的三维分子动力学模拟

采用EAM多体势，用三维分子动力学方法模拟了Cu单晶体内椭球裂纹在加压时的愈合过程．结果表明，加压时椭球裂纹顶端沿(111)和(111)面发射位错环，它们运动到晶体表面就被其像力吸引而在表面湮灭．通过位错环不断发射．运动至表面而湮灭，椭球裂纹内的空腔被逐步“转移”到表面，从而使裂纹不断变小乃至完全愈合；与此同时，晶体表面变得凹凸不平．     

Propagating of Unloaded Indentation Crack in PZT—5H Ferroelectric Ceramics Under Single or Combined Mechanical and Electric Loadings

研究了不同极化状态下PZT-5H铁电陶瓷压痕裂纹在应力和电场单独作用以及耦合作用下的扩展行为结果表明, 压痕裂纹残余应力引起的应力场强度因子近似等于断裂韧性.对沿长度方向极化的试样,正、负电场均能引起压痕裂纹的扩展,但正电场的作用更大.电场和应力的耦合作用表现为对应力的线性叠加.电场引起的内应力σin=(?)YE/[1.16(1-v2)Ec],式中(?)=(2.75=5.71)×10-4,与PZT的极化状态有关.     

管线钢氢致附加应力与氢致门槛应力的相关性

X80钢在空气中拉伸至塑性变形大于1％后卸缸，充氢至饱再控拉，其屈服应力小于卸载前流变应力，其差值即氢引起的附加应力，它协助外应力促进变形，引起应力集中，进而导致低应力下的脆断（即氢脆），或在低的恒定外应力下就发生氢致滞后断裂，实验表明，氢致附加应力σad随氢浓度C0升高而线性升高，即σad=-14.1 3.89C0，动态充氢慢应变速率拉伸时断裂应力随氢浓度升高而线下降，即σF（H）＝675－6．1C0,恒载荷下氢致滞后断裂门槛应力随氢浓度对数升高而线性下降，即бF（H）＝675－6．1C0，恒载荷下氢致滞后断裂门槛应力随氢浓度对数升高而线性下降，即σHIC=669-124lnCo.     

纳米压痕位移突变机理研究

用铁和ZnO单晶研究纳米压入时的位移突变和蠕变突变.结果表明,电解抛光的纯铁压入时会出现位移突变,突变前后的载荷一位移曲线明显不同,它对应表面膜破裂.而对于ZnO单晶来说,突变前后载荷一位移曲线变化不大,该突变意味着位错的爆发式发射.随加载速率降低,发生位移突变的临界载荷PC也下降.当P＞PC恒载荷蠕变时,位移缓慢升高直至饱和,但无突变;如P＜PC,恒载荷下保持一定时间就会发生蠕变突变,随后位移缓慢升高至饱和;如P＜P++(门槛载荷),则不发生蠕变和蠕变突变.     

氢促进铁磁性形状记忆合金Ni_(50)Mn_(30)Ga_(20)的纳米压痕蠕变与压痕回复

采用纳米压痕法研究了氢对Ni50Mn30Ga20取向多晶室温纳米压痕蠕变和压痕塑性形变的影响.结果表明,Ni50Mn30Ga20取向多晶在室温下能够发生纳米压痕蠕变.在试样室温真空充氢之后,引入的氢不仅能够促进纳米压痕蠕变,还可以使得马氏体相变的"伪弹性"存储的弹性能得以释放,发生逆转变,使部分塑性变形回复.     

Ti、Zn掺杂对Co2Z电磁性能的影响

用固相反应法制备了Ti4+、Zn2+取代的Co2Z(Ba3Co2Fe24-xMO41,M=Ti、Zn, x=0.2～0.6)平面六角结构软磁铁氧体并对其电磁特性进行了研究.X-射线衍射结果表明样品表现出典型的Z型平面六角铁氧体构型.Ti4+、Zn2+ 取代会增加铁氧体内载流子的浓度,从而影响Co2Z的电磁性能.实验中用4991A阻抗/材料分析仪测试室温条件下Ba3Co2Fe24-xTixO41(x=0、0.2、0.4)和Ba3Co2Fe24-xZnxO41(x=0、0.2、0.4、0.6)样品在5 MHz～1 GHz 范围内的磁导率频谱和介电常数频谱.实验结果表明,Ti4+取代Fe3+会增加Co2Z的起始磁导率,降低Co2Z的介电共振.而Zn2+取代Fe3+会引起起始磁导率的下降,增加Co2Z的介电共振,且在共振频率附近介电常数为负值.Co2Z的负介电常数特性使它可作为负介电常数介质用于左手材料的制备.     

电流及其极性对浸铜碳滑板摩擦磨损性能的影响

研究了电流及其极性对浸铜碳滑板摩擦磨损性能的影响.利用SEM观察浸铜碳滑板磨损表面的形貌.结果表明,施加电流显著增加浸铜碳滑板的磨损量,但降低摩擦系数.浸铜碳滑板为正极时的磨损量比其为负极时的大,而2种极性条件下的摩擦系数相近;电流越大,磨损表面损伤越严重;正极磨损表面的氧化比负极剧烈.磨损机理主要为磨粒磨损、黏着磨损和电弧烧蚀.     

Ni2MnGa铁磁形状记忆合金开裂的原位研究

对Ni2MnGa铁磁形状记忆合金的缺口试样,通过在微分干涉相衬显微镜下原位拉伸,研究了裂纹形核、扩展和马氏体相变以及塑性变形的关系．结果表明,拉伸时首先形成马氏体,当裂尖应力集中足够大时就会在裂尖产生局部塑性区,微裂纹易于沿马氏体界面形核,但也可在塑性区中形核．随载荷升高,微裂纹沿马氏体不连续形核,通过韧带剪切连接,从而导致裂纹扩展阻力也随裂纹扩展而增大．