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为了确定固体推进剂生产过程中的各因素对摩擦感度的影响,采用响应面法(RSM)与中心复合试验设计(CCD)相结合,以摆锤角度、滑柱压力、试样温度为影响因素,以固体推进剂摩擦感度值为响应值设计试验,采用摩擦感度测试仪进行试验,并分析试验结果拟合了响应面模型。结果表明,在三个响应面评价精度指标中,相对均方根误差为0.14、决定系数R~2为0.9309、校正拟合度R_(adj)~2为0.8686,说明方程拟合精度高且误差小;由模型方差分析得方差比值F为14.96,表明模型对响应面的影响程度较高;概率值p为0.0001,表明模型有0.01%的概率对响应面无影响;响应曲面图表明了各因素之间的相互作用;优化模型得到最小摩擦感度值所对应的三因素范围为角度小于45°,压力小于2 MPa,温度小于45℃。 相似文献
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以F4-TCNQ为p型掺杂剂,掺入m-MTDATA作为空穴传输层,ITO导电玻璃作为阳极,Alq3作为发光层,Bphen作为电子传输层,LiF和Al分别用作电子注入层和阴极,制备有机电致发光器件。相比于未掺杂器件,电压及功率效率获得提高。这归功于p型掺杂使阳极与空穴传输层界面产生欧姆接触,及空穴传输层传导率的提高,而随着掺杂的引入及掺杂浓度的增加,注入的空穴变得过剩,使载流子不平衡变得越发严重,导致器件电流效率及亮度降低。因此,应该加强电子的注入及传输,以达到载流子平衡,同时达到降低器件电压、提高功率效率、电流效率及亮度的目的。 相似文献
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基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺和三维异构集成技术,研制了一款硅基X波段2×2相控阵T/R组件.该组件采用收发一体多功能芯片方案,将所有器件封装于两层硅基中.其中上层硅基集成了低噪声放大器、功率放大器、开关、电源调制驱动器和PMOSFET等芯片,下层硅基集成了多功能芯片、串/并转换芯片以及逻辑运算芯片;两层硅基封装之间通过植球进行堆叠.最终样品尺寸仅为20 mm×20 mm×3 mm.实测结果显示,在8~ 12 GHz内,该T/R组件饱和输出功率约为29 dBm,接收增益约为21 dB,接收噪声系数小于3 dB,在具备优良射频性能的同时实现了组件的小型化. 相似文献
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