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91.
宋庆华 《Canadian Metallurgical Quarterly》2011,(10)
党群干群关系是企业内部的基本关系.巩固和发展良好的党群干群关系,是确保企业稳定发展的必然要求,是党员干部负责任的重要表现.新形势下,在企业中大力弘扬党群干群一致的优良传统,坚持科学管理、文明带兵,始终保持纯洁、融洽、和谐、友爱的党群干群关系,对促进企业的科学发展和职工群众战斗力的不断提升,有着十分重要的意义. 相似文献
92.
<地理课程标准>明确提出了学习对生活有用的地理、学习对终身发展有用的地理等基本理念.课堂上教师从分析身边地理事例入手,层层深入,给学生提供思考的机会,让学生理解分析的地理事例与教材知识间的相通性,从而达到利用学生已有的知识经验和学生能够感受到的地理事物,更好地学习和理解教材知识.当学生明白了教材知识和现实生活事例的联系后,就能够把教材中学到的知识运用到生活中去,解决生活中的实际问题. 相似文献
93.
94.
付松 《太赫兹科学与电子信息学报》2021,19(6):1053-1056
随着5G基站密度不断增加,5G基站电磁辐射水平的影响已成为限制5G通信技术发展的重要因素。为解决5G基站周围电磁辐射限值问题,提出评估方法对5G基站电磁辐射水平进行预测。假设基站覆盖小区用户容量已知,利用统计模型对基站周围功率密度的最大值进行计算。在ANSYS Savant上,通过对5G基站周围最大功率密度进行仿真,验证了预测方法的准确性和可行性,对今后基站选址具有一定的指导意义。 相似文献
95.
将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因. 相似文献
96.
单片机使用过程的优点是能够将系统运行效率有效提升,特别是抗干扰技术的运用,能够将电子设备软件和硬件功能逐渐提升。在技术发展过程中,设计者通过技术革新,分别在软件和硬件层面应用单片机嵌入系统内应用抗干扰技术,进而提高系统的抗干扰性能。下文对于单片机的嵌入式系统抗干扰技术内容进行简要介绍,分析技术应用优势,并对技术运用进行探讨以供参考。 相似文献
97.
IEEE802.11s是IEEE关于无线Mesh网络的规范。802.11s虽然沿用了IEEE802.11i的安全规范,但是对于路由协议的安全并没有做过多的定义,由此产生了一定的安全隐患。文章分析了IEEE802.11s标准(草案)中的路由协议的漏洞,并针对IEEE802.11s中使用的混合无线网状网协议(HybridWirelessMeshProtocol,HWMP)设计了两种攻击方式,从而破坏无线网状网络的可用性。通过在自行设计的路由器平台上实现无线攻击,并分析攻击对网络造成的影响来验证安全漏洞的存在性和可利用性。 相似文献
98.
为了系统研究闪耀光栅的衍射特性,分析光栅结构参量对其衍射效率的影响,采用严格的耦合波分析方法,得到了闪耀光栅的槽顶角、闪耀角等结构参量以及波长与衍射效率的关系。结果表明,随着槽顶角的增大,闪耀角向减少的方向移动,衍射效率则向降低的方向移动;槽顶角一定时,随着光波长的增大,衍射效率降低,同时闪耀角向增大的方向移动;同时分析了闪耀光栅的偏振现象。分析结果可为闪耀光栅的设计提供参考依据。 相似文献
99.
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8~2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。 相似文献
100.