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阐述了纳米复合结构热电材料的概念,介绍了制备纳米复合结构热电材料的方法,以及制备过程中存在的困难,并初步分析了纳米复合结构提高材料热电优值的原因。介绍了纳米复合结构在热电材料制备领域中的应用现状及其应用前景。 相似文献
74.
川西马井气田蓬莱镇组气藏储层改造技术研究应用 总被引:1,自引:2,他引:1
马井气田蓬莱镇组气藏埋藏深,是典型的低渗透致密砂岩储层,由于储层条件复杂,以前的储层改造效果不明显,措施成功率为72.8%、有效率仅为49.2%。自2005年来针对该气藏工程地质特征调试出低稠化剂压裂液, 研究形成了优化加砂浓度、多层压裂工艺、线性斜坡式加砂工艺、低密度支撑剂应用、加大规模加砂压裂等集成技术。项目期间施工21口井,压后累计无阻流量179.1648×10^4m^3/d,平均单井无阻流量8.5317×10^ 4m^3/d,单井压后增产倍数达到12.60,压后单井平均无阻流量是2005年前的4.5倍,措施成功率90%,有效率提高到86.6%,效果明显。该集成技术为推动川西地区中浅层气藏难动用储量的开发提供了压裂改造技术思路和技术保障。 相似文献
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为了探究高能电子辐射与其初始位置间的关系, 依据拉格朗日方程构建了单个高能电子与高斯激光脉冲相互作用发生散射的模型, 并采用数值模拟的方法通过MATLAB获得了电子运动轨迹及散射光的空间辐射特性, 具体分析讨论了电子初始位置对空间能量辐射的影响。结果表明, 初始状态静止的高能电子经与线偏振紧聚焦强激光相互作用, 其在平面内沿+z方向先做振荡运动, 然后沿直线行进; 最大辐射能量及其辐射方向均受到电子初始位置的较大影响, 前者随电子初始位置朝z轴正向移动出现极大值, 而后者在方位角恒定的同时极角逐渐减小并最终稳定; 全空间最大辐射能量在电子初始位置位于(0, 0, -7λ0)(λ0为激光波长)、极角和方位角分别为23.5°和180°时取得。此结果说明通过合理设置电子的初始位置可以获得强度尽可能大的辐射。 相似文献
76.
燃爆诱导及酸处理新技术在川西须家河气藏的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
川高561井须二储层是川西地区深层须家河组异常高破裂压力储层的典型代表,在加重酸酸化时井底压力达到159.6 MPa时,储层仍然未能压开,异常高破裂压力严重制约了该类储层的勘探开发.针对该井须二段4 911~4 943 m、4 959~4 995 m储层的地质特征及工程条件,采用燃爆诱导压裂技术和酸处理技术的有机结合,现场完成75 kg药量的燃爆和83 m3酸的酸压联作处理,在地面泵压89~93 MPa下施工排量达到0.955~1.02 m3/min.该层射孔试破没有获得天然气产能,通过燃爆诱导压裂和酸处理联作后,井底停泵压力降低了26.73 MPa,有效的改善了油气渗流通道,在油压42 MPa,套压43 MPa下天然气输气量达到8.288 5×104m3/d.该复合新技术在川高561井须二异常高破裂压力储层的成功实施,为川西深层须家河储层解决异常高破裂压力问题提供了新的技术思路. 相似文献
77.
多层分层压裂的产层间距问题探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
在多层分层压裂中,如果产层间距较小,易导致压窜,因此隔层遮挡作用的判断及缝高的控制就显得尤为重要。通过对多层分层压裂产层间距进行深入分析,认为裂缝高度的最主要影响因素有地应力差、产层厚度、注入排量、压裂液黏度等。分层压裂时,应综合各种因素,对缝高延伸进行准确判断。当储层具有一定厚度时,地应力差对缝高的影响较敏感,产层越薄,缝高延伸的比例越大,裂缝高度将会远远超出产层;产层越厚,裂缝高度越容易控制在产层以内。现场应用表明,所确定的多层分层压裂产层厚度及间距的选层标准具有一定的适用性,这对多层分层压裂的评井选层及施工方案的形成具有一定的指导意义。 相似文献
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脉冲柱塞加砂压裂新工艺及其在川西地区的先导试验 总被引:2,自引:0,他引:2
加砂压裂一直在追求支撑剂的更好铺置,从而形成更长的有效裂缝和更高的导流能力,但是常规工艺总是难以令人满意。在理论分析、PT软件模拟、基础实验及创新性物模实验研究的基础上,通过特殊的泵注程序及纤维、液体等辅助工程手段,研发了一种脉冲柱塞加砂新工艺。该新工艺形成的开放性渗流通道铺砂剖面较之常规工艺在有效缝长和导流能力上具有明显优势,开放性渗流通道有助于改善裂缝清洁度、降低人工裂缝的压降,从而达到延长单井采油气寿命、提高产能效益的目的。在完成原理研究及新工艺优化设计的基础上,进行了现场先导应用与详细的压后评估。结果表明:该工艺可操作性强、实施可行,与地质条件相当的邻井相比,支撑剂成本降低44%~47%、有效缝长与支撑缝长的比值提高约16%,测试18 h返排率高达63%、归一化产量是邻井的1.9~2.3倍,降本增效、提高产量效果明显。该技术在四川盆地川西地区浅中层砂岩气藏及页岩气藏的开发中具有推广价值。 相似文献
79.
80.
通过在自生长的半导体Cu2S纳米线阵列表面进一步应用电化学表面沉积处理,在纳米线表面形成尺寸更小的Cu2S纳米颗粒结构,实现了在不减小纳米线直径或增加纳米线长度的情况下,有效提高了纳米线阵列光吸收性能。利用I-V循环扫描曲线研究了以Cu2S纳米线阵列为工作电极的Cu2S沉积电位,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见-近红外分光光度计,对纳米阵列的相结构、微观表面形貌、晶体结构及光吸收能力进行了表征和分析。研究表明:沉积于单斜晶系Cu2S纳米线阵列上的纳米颗粒为斜方晶系Cu2S,沉积后纳米线表面结构改变,粗糙度明显增加,起到了减少纳米线的光反射、优化原纳米线阵列光吸收综合能力的作用。 相似文献