日韩发展3G终端的启示

日本和韩国作为3G业务发展的先锋，其产业的发展历程可为我国发展3G产业提供有益的经验。     

一种应用于芯片高精度拾放的视觉定位方法

视觉定位技术是全自动芯片拾放设备的核心技术之一,其设计需结合设备功能、结构特点、运动方式来完成。介绍的视觉定位方法采用仰视与俯视双相机、俯视相机双镜头切换方式,适用于全自动粘片机、点胶机、晶圆芯片拾取机等设备中的拾放定位功能,及设备执行部件相对位置校验功能。     

基于用电信息采集的智能反窃电技术探析

本文将对利用用电信息采集系统的智能反窃电技术进行详细的介绍。结合自身经验对其应用加以探究,以供大家参考。     

基于无线自供能的植入式微纳集成芯片与集成系统

我国是慢性病大国,癌症、糖尿病、心脏病、癫痫、高血压等疾病已成为首要致死原因,医疗负担占比70%,形势严峻.相比口服,注射等传统给药方式,植入式精准靶向治疗按时按需、精准适量,见效迅速,几乎无副作用,被证实是慢性病的有效治疗方式.目前我国在这一领域刚刚起步,尤其在高端植入微纳集成系统级芯片(System of Chip,SoC)、微纳系统集成和封装可靠性等方面,缺少原创性核心技术和共性技术支撑平台,严重落后于欧美发达国家,相关高端医疗器械及核心部件只能高价进口.因此,需要通过突破相关关键共性技术,核心部件国产化,从创新源头推动高端医疗器械发展,从而加速推动我国医疗器械产业化落地,打破欧美日发达国家垄断.本研究以突破医疗用微纳集成芯片和微纳集成系统关键共性技术为目的,解决了微电子小尺寸、高精度、低功耗等难题.通过三维异质集成构建植入式精准靶向给药系统和迷走神经刺激器,实现精准靶向给药、无线充电、生物电信号采集、电刺激等功能,项目样机已通过生物相容性测试和动物实验验证.     

基于渐变结构的矩形腔表面波 等离子体源仿真和设计*

目前,大尺寸矩形腔表面波等离子体源的设计中,利用缝隙辐射器耦合微波能量时,绝大部分都是在波导的宽 边开缝,这在一定程度上限制了电场均匀性的进一步提高。本文提出了一种基于渐变结构的缝隙辐射器设计,即扩展波导宽 边同时压缩窄边形成具有稳定模式的宽边更宽窄边更窄的结构。设计了加载短路面的缝隙阵列耦合结构并利用时域有限差 分（FDTD）方法计算了电子密度为1.79×1018 m-3、碰撞频率为3×108 Hz 时石英-等离子体分界面上电场幅度分布,并与传统波 导开缝结构对比,实现了电场均匀性的有效提升,并得到了稳定的表面波模式。     

带FPGA的PCI接口应用

文章介绍了一种带FPGA的PCI接口的应用及设计方法。该方法将PCI接口和PCI用户逻辑集成在一片FPGA里，可以对整个逻辑进行仿真测试，大大缩短了开发周期，提高了系统集成度和性能。文章重点叙述了Quicklogic公司提供的32wug TARGET接口芯片QL5030的原理和结构，分析了时序设计要点，给出了典型应用的逻辑框图和注意事项。     

三相磁阀式可控电抗器研究及展望

本文介绍了三相磁控电抗器的发展历史和研究现状,分析了不同种类的三相磁控电抗器的工作原理和电磁特性,结合其优缺点对未来的研究做出展望.     

基于GMPLS对等模型的智能光网络QoS模型设计

介绍了智能光网络层叠模型和对等模型的特点,简要分析了智能光网络的QoS机制,提出了一种基于GMPLS对等模型的智能光网络QoS模型,通过对此模型下的数据业务的时延、链路的利用率进行仿真,验证了所设计的QoS模型的优越性和可行性.     

不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响

绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54％.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54％张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件.     

WDM网络中可重构P圈模型的研究

为了解决波分复用(WDM)网络中由于流量分布变化而导致网络中预配置P圈保护资源分配不准确的问题,提出了可重构P圈的概念,并建立了一种基于网络性能参数进行重新配置的P圈模型.在OPNET中搭建仿真平台,基于泛欧COST239网络拓扑结构,对提出的模型进行了验证.仿真结果表明,根据网络的变化重新计算优选P圈,可以降低网络的性能抖动,提高网络的保护资源利用率.