低功耗高性能限流比较器的设计与仿真

为了进一步改善DC-DC开关电源的效率、功耗和精度,以其中最关键的电路:限流电路为突破口,对传统CPM控制结构进行了改进,并引入了动态偏置的思想,采用0.6μmBICMOS工艺模型,设计了一种高性能、低功耗的限流比较器.分析了电路的设计原理和过程,并给出了仿真结果.     

铝取代的SrM六角晶系铁氧体

用普通陶瓷工艺制备了铝取代的ＳｒＭ六角晶系铁氧体，其磁晶各向异性场Ｈａ变化范围为１４２４～１９９０ｋＡ／ｍ；饱和磁化强度为１９０～３１２ｋＡ／ｍ；介电损耗小于５×１０－３．得出了此种材料很有可能在较高毫米波铁氧体器件中获得应用的结论。     

基于自适应滤波原理的扩频窄带干扰对消技术

本文在介绍了扩频通信的基本原理的基础上,重点研究了用自适应滤波原理对扩频信号中的窄带干扰进行消除的方法,并建立模型进行了仿真分析。结果表明,用两个自适应滤波器组成的双环噪声消除器对扩频信号中的窄带干扰可以起到非常理想的抑制作用。     

一种新型的基于LDO的过流保护电路设计

设计了一种基于低压差线形稳压器的Foldback过流保护电路。该Foldback过流保护电路的静态电流不超过0．94μA，极大地提高了电流利用率。该芯片采用TSMC0．6um、BiCMOS工艺生产制造。     

1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

设计了一种基于0．25μm CMOS工艺的共源共栅型1．3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法，讨论了寄生电容Cgd、C_match_in及共栅管沟道宽度W2对LNA性能的影响。采用ADS软件，对W2进行扫描和对LNAS参量和噪声系数进行仿真测试结果表明：该LNA在1．3GHz的工作频率下．具有良好的性能指标，噪声系数fN为1．42dB，增益S21为13．687dB．匹配参数S11为-14．769dB，S22为-14．530dB，反向隔离度S12为-52．955dB。     

一种新型输入匹配结构在低噪声放大器中的应用

在分析传统源极电感负反馈输入匹配结构缺陷的基础上,利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感,同时去掉源极负反馈电感。基于这种改进型输入匹配结构,设计了一种适用于无线接收机用的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明,该LNA在工作频带内可达到15 dB的增益,2.75~3.65 dB的噪声系数,-10 dBm的1 dB压缩点,以及良好的稳定性。虽然输入匹配由于去除源极负反馈电感受到一定影响,但有利于降低噪声系数,并减小实际制作的芯片面积。     

两级运放中共模反馈电路的分析与设计

在两级共源共栅CMOS运算放大器中,设计了一种新的共模反馈电路。这种电路克服了一般共模反馈电路存在的限制输出摆幅的缺点,在稳定电路直流工作点的同时,能有效提高电路的输出摆幅。通过对共模电路结构的分析,证明了其功能原理的正确性。基于0.18μm(3V)CMOS工艺库,用Hspice软件对电路结构进行了仿真验证。结果显示,电路低频增益达到120dB,功耗不到0.24mW。     

电流模式控制的DC-DC变换器中电流环的设计

电流反馈环路是开关变换器中重要的模块之一,主要分析了常用的SENSEFET技术的不足,提出了一种优于SENSEFET技术的电流检测电路.该电路通过检测功率管上的压降反应电感电流的变化,利用工作在线性区的PM06管代替电阻,采用体偏置跨导增大环路增益,提高检测精度,使输出检测电流与电感电流的比率几乎不受温度,工艺,电源电压等因素的影响.同时设计了一种自适应斜坡补偿电路,可根据输入,输出电压自动调节补偿斜率,有效解决了传统固定斜率斜坡补偿所产生的带载能力降低的问题.电路的输入电压范围为2.5～5.5V,工作频率为1MHz,可精确检测0～3.5A的电感电流,适用于大电流的开关变换器.     

一种BiCMOS过热保护电路

提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路。采用0．6μm BiCMOS工艺参数，对电路进行模拟仿真，并与先前提出的过热保护电路进行比较。结果表明，该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和低功耗等特点。     

一种分高低压供电的低压差线性稳压器的设计

针对传统低压供电的低压差线性稳压器线性响应比较慢的情况,提出了一种基于BICMOS 0.5μm工艺分高低压供电的低压差线性稳压器。经过Hspice仿真验证,该稳压器具有高增益、高PSRR（Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比）、低功耗、响应速度快的特点,输入电压范围为0.5~28.0 V,输出电压为5 V。此稳定器低频时的开环增益达到86 dB,相位裕度为68o,低频时的电源电压抑制比为–91 dB,高频时也能达到–2 dB,静态电流只有13.5μA。