基于位并行DA结构的高速FIR滤波器

针对目前利用FPGA实现基于分布式算法(DA)FIR滤波器的不足,以及为了实现高速FIR滤波器,提出了一种位并行分布式算法结构的解决方案。采用位并行分布式算法和流水线式并行加法器树,在Xilinx Virtex5系列FPGA上实现了高速FIR滤波器。该滤波器工程经ISE 12.3综合、布局布线后,利用Modelsim SE 6.5和Matlab联合仿真。仿真结果表明,该设计可以提高滤波器处理速度,32阶的滤波器最高时钟频率可达到399.624 MHz。对滤波器进行进一步优化,节约了硬件资源占用。     

钴取代的BaNi2W六角铁氧体

研究了ＢａＮｉ２－ｘＣｏｘＦｅ１６Ｏ２７（ｘ＝０,０．２,０．２５,０．４,０．４２,０．５,０．８４）六角铁氧体多晶材料的磁特性。结果,取向度大于７５％,介电损耗小于５×１０＾－３,饱和磁化强度为３６６ＫＡ／ｍ几乎不变。磁晶各向异性场为２００ｋＡ／ｍ≤Ｈａ≤１１４０ｋＡ／ｍ,这类材料可应用于Ｘ至Ｋａ波段的微波器件。     

650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage, BV),影响IGBT器件BV的因素包括：平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO₂中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sentaurus TCAD计算机仿真软件,采取横向变掺杂(Variable Lateral Doping, VLD)技术,设计了一款650 V IGBT功率器件终端,在VLD区域利用掩膜技术刻蚀掉一定的硅,形成浅凹陷结构。仿真结果表明,这一结构实现了897 V的耐压,终端长度为256μm,与同等耐压水平的场限环终端结构相比,终端长度减小了19.42%,且最大表面电场强度为1.73×10⁵ V/cm,小于硅的临界击穿电场强度(2.5×10⁵ V/cm);能在极大降低芯片面积的同...     

物联网中标签持续到达的RFID防碰撞算法

为解决目前无线射频识别标签防碰撞算法在标签持续到达时识别效率下降的问题,在给出标签到达与识别过程模型的基础上,提出一种支持标签持续到达的防碰撞算法。利用标签到达与识别过程模型,算法比较准确地估算了阅读器识别区域内的标签数。运用泊松过程叠加原理和帧效率优化理论来确定帧长,实现了识别过程的高效性。运用排队论研究了标签到达率上限,为算法稳定运行提供了科学依据。仿真实验表明,在标签持续到达的整个过程中,所提算法的平均识别效率接近于识别过程中无标签到达时DFSA算法的识别效率。     

基于MAS的RFID物联网数据集成中间件研究与实现

提出RFID数据集成中间件概念.为了不改变现有各数据库局部模式,提供各数据库的全局模式,将MAS和分布式数据技术结合,提出基于Agent的关系数据库访问技术的联邦模式虚拟集成法.该虚拟集成法基于本体构建分布式数据库;针对网络环境,基于CIAgent开发包研究设计分布式智能代理DIAgent,用KQML语言描述DIAgent间协作通信过程,由多个协作DIAgent构建GDBMS.实现了油田企业数据集成,系统运行稳定可靠.     

采用增强型AB跟随器的快速响应LDO

设计了一种采用增强型AB跟随器作为缓冲器的快速响应LDO.利用跟随器的动态电流提高能力,显著地改善了误差放大器对功率MOS管寄生大电容的驱动;同时,由负反馈引起的阻抗降低效应将功率管的寄生电容极点推到了更高的频率,提高了环路的相位裕度.采用TSMC0.35-μm CMOS工艺进行仿真,当负载电流在0.1μs内从1 mA跳变到50 mA以及从50 mA跳变到1 mA时,相对于同等条件下的源跟随器LDO,输出峰值分别减少4 mV和46 mV,且稳定时间只需要0.2 μs和0.5 μs.     

Twin-Bus型单相离线式LED照明驱动

针对单相离线式发光二极管驱动电源效率低的问题,跟据发光二极管照明电源的特点,提出一种Twin-Bus型的发光二极管照明驱动架构.基于发光二极管照明驱动架构,研究了适合于该架构的可PWM调光的降压型变换器.详细讨论和分析了变换器的工作原理、控制策略、PWM调光策略.以高效率的LLC谐振变换器为例,讨论了Twin-Bus电...     

一种分段曲率补偿带隙基准源设计

在传统带隙基准的基础上,设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿,采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态功耗电流为7.11μA;电源电压2.5~5.5 V,基准电压变化148μV;温度在–40~+145℃内,电路的温度系数为1.18×10–6/℃;低频时电源抑制比为–87 d B。     

适用于纹波控制型DC-DC控制器的比较器设计

设计一种适用于纹波控制（Output-Ripple-Based Control）的Buck型DC-DC控制器的比较器,根据PSIM搭建的仿真模型,分析主环比较器性能对系统的影响,设计具有三级预放大的高增益,低延时,低失调电压的比较器电路,采用两种温度系数的电流补偿比较器增益,稳定增益,采用0.5umBiCOMS工艺进行仿真验证,下降沿延时27ns,增益123dB,随温度最大增益变化3.2%,失调电压90uV,达到系统要求。     

一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计

GaN半桥输出点电压在死区时间为负值,给GaN功率器件栅极驱动电路信号通信带来了挑战.通过研究驱动器电平移位锁存电路工作状态与半桥功率级输出节点电压跳变、死区时间负压之间的相互影响,设计了一种新型的零静态功耗电平移位电路及其误触发消除电路.电路采用100 V BCD 0.18μm工艺设计,在输入电压100V、开关频率5...