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71.
提出一种用于布局阶段的拥塞消除算法。首先,筛选出拥塞严重区域的高引脚数标准单元。然后,以步进的方式为这些标准单元设置隔离区域,使其散布,以消除该区域的拥塞。该方法能有效降低设计的短路违例,并减小总线长优化时序。采用提出的算法和SYNOPSYS公司的软件ICC,对一种采用SMIC 65 nm标准单元工艺库的两百万门设计进行优化。与ICC的优化结果相比,采用该算法后,短路违例降低了12%,总线长缩短了7%,总违例时间减少了14%,但运行时间有所增加。  相似文献   
72.
喻秀明  冯全源 《微电子学》2021,51(5):685-689
为了解决高阶线性FIR滤波器占用查找表资源过多的问题,提出了一种采用对称查找表的分布式结构。利用线性FIR滤波器系数对称的特点,设计了深度更小的对称查找表。采用时分复用技术和流水线技术,有效节约了查找表资源,提高了FIR滤波器的运行频率。在Xilinx XC5VLX110T FPGA芯片上,实现了1 023阶的基于对称查找表的FIR滤波器。结果表明,相比于分段查找表结构,对称查找表结构的FIR滤波器节约了48%的Block Rom资源,提升了15%的最高时钟频率。  相似文献   
73.
高峡  冯全源 《微电子学》2017,47(3):359-362
基于功率MOS管导通电阻对电流采样的方法,设计了一种用于带集成功率MOS管的Buck变换器的过流保护电路,改善了传统过流保护电路的限流阈值随电源电压和温度变化较大的问题。对该电路的结构和原理进行了阐述与理论推导,采用Hspice软件对理论分析进行了仿真验证。仿真结果表明:当电源电压在2.5~6 V、温度在-55 ℃~125 ℃的范围内变化时,电路的限流阈值保持在3.2 A,限流阈值的最大误差值不超过±9.4%。该电路具有极快的响应速度,最大延时仅为33 ns。  相似文献   
74.
设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40~+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动范围为1.195 9~1.196 3 V,温度系数为3.76×10–6/℃;电源电压从2.5 V到5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率为0.38%,低频时电路的电源抑制比(PSRR)为–83 d B。  相似文献   
75.
基于Hash函数的RFID挑战-应答认证协议   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
余恬恬  冯全源 《计算机工程》2009,35(24):156-157
介绍几种典型的射频识别安全隐私保护协议的方法,针对这些协议和一些文献中提出的改进协议中的不足提出一种新的基于Hash函数的改进方案,该方案可以有效地抵御非法读取、位置跟踪、窃听、伪装哄骗和重放等不安全问题,并适用于标签数目和阅读器数目较多的情况,具有较好的安全性和高效性。  相似文献   
76.
同步BUCK变换器在轻载模式下会出现电感电流倒灌现象,这会使得芯片的效率大大降低。针对这一问题,设计了一款过零检测电路,该电路利用MOS管工作在线性区时的沟道电阻来产生过零检测比较器的负阈值电压,从而有效地限制了电流的倒灌;还设计了边沿隐匿电路,避免电路切换时引起的误触发。该过零检测电路基于0.5μm BCD工艺,在HSPICE软件上仿真验证,当系统温度在0~85℃变化时,负阈值容差为10 mV,过零检测电路性能良好。  相似文献   
77.
常高嘉  冯全源 《电子器件》2012,35(5):615-618
高速数据采集系统主要由AD、FPGA和DSP组成。该系统的采样精度为12 bit,采样率为100 MSPS。首先介绍了系统中AD部分的两种前端调理电路的设计与实现,并作了对比,然后介绍了AD的时钟电路,说明了基于Verilog的FPGA程序设计过程。通过调试优化后可以在DSP中稳定、纹波较小地读到AD量化后的数据。  相似文献   
78.
设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5 μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为500 kHz,外部EN同步振荡频率为200 kHz到2 MHz;在3~5.5 V电源电压下及-40~125 ℃温度范围内,振荡器的频率偏移在±3%以内,内部时钟CLK占空比偏移在±4%以内,补偿电压峰值偏移在±8%以内。该振荡器性能良好,已成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片。  相似文献   
79.
80.
在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200 μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931 V 的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5 V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。  相似文献   
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