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研究了在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极施加阶梯电压应力之后器件参数和特性的自变化现象。在去除应力之后每5分钟测量一次器件。大信号寄生源(漏)电阻、转移特性、阈值电压、漏源电流、栅-源(漏)反向电流-电压特性在去除应力后发生自发变化。自变化的时间常数大约为25-27分钟。在该过程里,栅-源(漏)电容-电压特性保持稳定。当器件被施加应力时,电子被表面态和AlGaN势垒层陷阱捕获。AlGaN势垒层陷阱所捕获的电子在10秒内释放了出去。表面态释放电子持续发生在整个测量过程中,导致了测量结果的自变化现象。 相似文献
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基于小电流下肖特基结正向压降的温度特性,建立了温升测量系统。利用该系统对肖特基SiC二极管的瞬态温升进行了测量,结果显示瞬态温升曲线呈阶梯状变化。利用结构函数的方法对瞬态温升曲线进行处理,分析了肖特基SiC二极管在热流传输路径上的热阻构成。研究了三引脚封装的肖特基SiC二极管在相同大功率的条件下,两正极引脚单独使用和并联使用时的热阻特性,结果显示,在两正极引脚并联使用时,其热阻比单独作用时减少一半,这表明三引脚封装的肖特基SiC二极管的两个正极是并联的,并共用一个负极和散热片。 相似文献
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介绍了AIGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au.肖特基结金属为Pt/Au。器件栅长为1μm,获得最大跨导220mS/mm,最大的漏源饱和电流密度0.72A/ram。由S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为12GHz和24GHz。 相似文献
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在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法. 相似文献
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半导体器件封装热阻测试方法及其研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置,并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论通过对半导体PN结温度系数的研究发现:温度系数的测定准确性主要与被测点的温度范围有关,而与所选温度点的个数关系不大。 相似文献
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