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研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加. 相似文献
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基于CREE公司生产的十条栅指AlGaN/GaN HEMT器件,利用热传导方程,研究了AlGaN/GaN HEMT器件热阻随热源尺寸的变化规律及影响机理,建立了GaN HEMT器件的热传播模型并通过红外测温法结合Sentaurus TCAD模拟仿真的方法验证了模型的准确性.研究发现:热阻随热源尺寸的减小以近似指数的规律增加,随栅宽的减小以反比的规律增加.另外,在芯片尺寸、散热条件、功率密度等条件不变的情况下,栅长从1μm减小到0.05μm时,热阻大约增加80%.对该变化规律从两个方面进行了解释:一方面,热源面积越小,微观尺寸上的散热面积越小,热阻越大;另外,热源尺寸的减小会引起热源处热容的减小,产生的热量是一定的,热阻与温升成正比,因此对应的热阻增加. 相似文献
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AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了AlGaN/GaNHEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%。 相似文献
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研究了AIGaN/GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时.最大漏源电流和跨导分别下降到0.69A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%。 相似文献
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GaAs MESFET沟道温度电学法测量的理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的沟道温度—电学法测试,能够非破坏性地快速测量封装后的成品管的沟道温度和热阻。并由此对GaAs MESFET进行考核和筛选,是当今快速筛选和考核的重要方法。 电学法测量出的温度普遍认为是器件有源区上的平均温度,但是这种温度与其器件芯片中的各种温度如最高温度、统计平均温度及芯片表面温度分布的关系如何,还未有过详细的研究。本文将对电学法测得的温度通过建立热模型进行模拟,找出电学平均温度的物理意义以及与其芯片中的各种温度的 相似文献