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991.
本文简述了反向光发射单元核心器件FP激光二极管的主要特点,介绍了FP激光二极管的性能和参数的物理意义,解读了FP激光二极管产品的参数表及曲线组图,提出了反向光发射单元在使用和维护中应注意的几个问题。  相似文献   
992.
基于相关域的二维自适应波束形成算法   总被引:1,自引:1,他引:0  
和洁  冯大政  吕晖  向聪 《电子与信息学报》2010,32(12):2890-2894
 该文针对使用最小方差无失真响应算法进行2维波束形成时需要大量采样数据和庞大计算复杂度这一问题,提出一种基于相关域的2维自适应波束形成算法。通过将高维权向量分解成两个低维权向量的Kronecker积形式,使用双迭代算法利用相关域信息求解出两个低维权向量,从而降低了估计采样相关矩阵所需的采样数据和计算量。实验仿真表明,所提算法具有良好的收敛性能,在采样数较小的情况下,能够更好地抑制干扰信号。  相似文献   
993.
1.技改目标 宁波712高山发射台始建于上世纪70年代初,因其独有的覆盖优势,2006年,宁波广电集团为落实中央关于广播电视公共服务平台建设要求,对该台重新进行规划,完善了技术和生活配套设施,增加至中央。省和宁波共9套广播电视节目发射转播任务,  相似文献   
994.
介绍了设计的专用超长贮气筒——DK7000贮气筒。在充分利用现有贮气筒粉末涂装生产线的资源,满足DK7000贮气筒和现有品种贮气筒涂装生产及质量要求的条件下,通过对DK7000贮气筒的涂装工艺流程优化设计,采用横向装挂、贮气筒内壁横向喷涂和倒挂的工艺流程,有效解决了涂装生产中存在的问题,使DK7000贮气筒顺利投入生产。  相似文献   
995.
15%氯菊酯·左旋松油醇水乳剂的配方   总被引:1,自引:1,他引:0  
对15%氯菊酯·左旋松油醇水乳剂的制备方法及配方中各组分的最佳含量进行了研究,并对该水乳剂各项性能指标进行了测试评价,最终获得了质量合格的15%氯菊酯·左旋松油醇水乳剂较佳配比:氯菊酯10%,左旋松油醇5%,二甲苯15%,500#乳化剂4%,602#乳化剂4%,抗冻剂5%,消泡剂0.3%,自来水补足100%.经测试,所得制剂外观、分散性、乳液稳定性、热储析水率及分解率等均符合水乳剂标准.  相似文献   
996.
硫酸镁直接热解制备氧化镁的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用热重分析-差示扫描量热分析(TG-DSC)和X射线衍射分析法(XRD)分析研究了由氯化镁制得的硫酸镁的脱水与热分解过程。考察了热解温度、热解时间和粒径等因素对无水硫酸镁热分解产生氧化镁的速率的影响。实验表明,七水硫酸镁的脱水过程在60~300℃时完成,无水硫酸镁的热分解在950~1 150℃时完成。通过控制固相分解的工艺条件,可将硫酸镁的脱水和热解阶段分离,无水硫酸镁可直接热解制备高纯氧化镁。利用正交实验优化工艺条件得出,粒径为109μm的硫酸镁在400℃条件下脱水0.5 h,再在坩埚电阻炉中1 100℃恒温热解1 h,可得到质量分数为99.8%的立方晶型高纯氧化镁。  相似文献   
997.
在我发烧的早期,前辈教我用“牛”压上机壳顶调声。这一招果然有用,我曾经用过大小不同、年代不同的废“牛”。又尝试机顶的不同位置,结果都有不一样的音效改善或衰退。  相似文献   
998.
问答系统中包括三个主要的部分:问题理解,信息检索和答案抽取.而问题理解是问答系统的第一部分也是非常关键的一部分.本文应用了基于规则的问题分类方法,并提出了一种基于维基百科关键词扩展和基于同义词的关键词扩展相结合,以及对问题中的关键词进行重要性标识的问题理解方法.该方法先对问题进行分类,然后提取出问题的关键信息.通过实验结果来看:该方法取了了较好的效果,达到了预期的目的.  相似文献   
999.
伊鑫  李辉  冯剑川 《电子工程师》2010,36(3):49-51,57
为了充分利用遗传算法的全局寻优能力和SVM(支持向量机)的分类能力,文章设计了遗传优化SVM的分类算法。用遗传算法优化SVM中核函数的两个参数,再利用优化后的SVM进行分类。通过对方波和白噪声两种信号的分类仿真,证明了其优越性,同时也展现了遗传优化SVM在通信领域很好的应用前景。  相似文献   
1000.
冯地直 《半导体技术》2010,35(5):469-472
在对电容法测量Si片厚度的原理分析基础上,根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系,分析了用电容法测试Si片厚度时,电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响,并采用千分尺(有接触测试)、ADE6034及Wafer Check 7000(电容法测试)分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对。实验结果证明,电容法可以测量高电阻率Si片的厚度等几何参数,但不能测量电阻率均匀率较差的Si片。同时,校正电容法测量设备时,以校正样片电阻率与被测Si片电阻率范围接近为原则。  相似文献   
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