全文获取类型
收费全文 | 60篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 6篇 |
专业分类
电工技术 | 4篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 7篇 |
机械仪表 | 3篇 |
建筑科学 | 11篇 |
矿业工程 | 5篇 |
能源动力 | 2篇 |
轻工业 | 3篇 |
石油天然气 | 4篇 |
无线电 | 8篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 7篇 |
出版年
2023年 | 4篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 5篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有71条查询结果,搜索用时 7 毫秒
61.
62.
63.
倒闸操作是变电站安全工作的重中之重,运行人员在倒闸操作过程中如发生误操作,轻则造成误电、停电,重则可能重则发生带接地线合闸送电引起短路、配电设备损坏,带负荷拉合闸刀,引起弧光短路、设备损坏,危及设备、人身和电网安全,而且社会影响大,因此对倒闸操作工作应引起高度重视,并加强防范。 相似文献
64.
在深低温下(T<50K),CMOS器件会出现Kink效应,即I-V特性曲线会发生扭曲。当漏源电压较大时(Vds>4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性。最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。 相似文献
65.
66.
67.
提出了2种赋予任意一个图均衡方向的方法:欧拉图构造法和圈树分解法,第一种方法是欧拉图构造法:若给定的图是欧拉图,先找到欧拉环游后再顺着欧拉环游的方向给边赋予方向.若不是欧拉图,可以通过给此非欧拉图补充边得到欧拉图赋予边方向后,再删除添加的边即可得到均衡有向图.第二种方法是圈树分解法,分两步进行:先假设图G是一棵树,运用树的特殊结构给出了赋予树G均衡方向的算法,因为森林是多棵树的并,所以若G是森林,此算法也能赋予G均衡方向.最后结合圈上每个顶点的度都是偶数,给出了总算法并证明了此算法能给任意一个图赋予均衡方向. 相似文献
68.
1前言
在节流装置测量系统中,微差压变送器接受来自节流装置流体的压差,通过差压变送器转换成数字信号和4~20mA的模拟信号输出,从而知道流体流量的大小,最终达到测量目的。EJA微差压变送器由受压部分(传感模头、单晶硅谐振式传感器),变送部分(振荡控制放大器、CPU组件、LCD液晶表头)等组合而成。 相似文献
69.
采用自动快速蒸馏装置对脱砷前后的催化裂化汽油进行窄馏分切割,利用原子荧光光谱法对各窄馏分砷化物含量进行分析,研究催化汽油脱砷前后砷化物分布规律,为催化裂化汽油脱砷剂开发及脱砷工艺流程选择提供指导。实验结果表明:随着各窄馏分沸点增加,砷化物所占比例逐渐增大,90%以上砷化物均分布在80℃以上的重汽油组分中,尤其170℃以上馏分砷化物所占比例陡增,占总砷化物65.82%~96.31%。吸附脱砷剂对汽油150℃之前馏分中砷化物实现了全部脱除,而对150℃之后的重馏分脱砷率略有下降;临氢脱砷剂对汽油中80℃之前轻馏分和170℃之后重馏分中砷化物具有较高的脱除率,达到90%以上,而对中间馏分中砷化物脱除率较低。 相似文献
70.
以活性炭为基体,以铜镍为活性组分制备吸附脱砷剂,采用FCC汽油为原料,在高空速下对脱砷剂进行失活评价。通过X射线衍射(XRD)、高分辨率的透射电镜(HRTEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对脱砷剂的微观结构、晶体结构以及元素的化学状态进行了表征分析,深入研究了吸附脱砷剂的作用机理。研究发现,吸附脱砷后活性组分CuO的颗粒粒径明显增加,且活性组分CuO的晶格条纹消失,形成无定形物质;吸附脱砷后砷的存在状态主要以砷氧化物或者含氧有机砷化物的复杂形态存在,少量砷以金属砷化物和单质砷的简单形态存在。 相似文献