超大规模集成电路的新发展——参加1980年国际固体电路会议随记

每年一度的国际固体电路会议,在三十余名代表的热烈讨论和交流之后,于二月十五日在美国旧金山结束,人们互相告别并期待着明年二月在纽约再次相聚。 这次会议是标志着超大规模集成电路已经到来的会议,是对80年代作出展(?)的会议。它宣布,集成电路已经发展到了这样的阶段,即把电子系统集成到一个芯片上;把数字电路和模拟电路结合起来集成在同一个芯片上。     

高温微电子学-Ⅱ:硅集成电路的高温特性研究

本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI CMOS集成电路。     

VLSI二维阵列的容错设计

本文在第一节中指出了在VLSI二维阵列引入容错技术的必要性,并就近年来在结构冗余的二维阵列的容错技术的两种基本重排方法分别予以简单介绍。在第二节中则着重阐述对两种重排技术进行改进的基本思想、基本重规则,并在最后对重排成功率进行了比较。     

栅控pn结表面效应及其应用

栅控效应即绝缘栅场效应MOS器件及集成电路的理论基础,是半导体工程中研究广泛手一个课题。pn结是整个半导体器件及集成电路的核心,尤其是双极型器件及电路赖以发展的基础,对它的研究受到最大的重视是理所当然的。但是,对于三种效应的互相结合和互相作用所产生的综合效应——栅控pn结表面效应,并没有受到应有的关注,在半导体器件尤其是大规模、超大规模集成电路迅猛发展的今天。对于这种效应的深入研究已经是势在必行的了。     

硅集成系统设计导论[四]

四、硅系统设计的CAD系统四(一)硅系统设计中CAD的主要内容如前所述,VLSI系统具有很高的复杂性.VLSI系统设计的关键是复杂性管理.硅系统的设计方法学的基本出发点即是有效的复杂性管理.为了实现硅系统的设计,必须开发建立在对应的设计方法学基础上的CAD系统.这种系统可以显著加快设计速度,可以在未进行实际制备前建立相应的模型对其功能及性能进行模拟,从而使设计一次成功的几率大为提高.根据VLSI的特点,通常芯片中一个错误就会使其失效.改正设计中的错误,需要重新设计,制版及流水制备,其代价十分昂贵.因此,CAD系统是VLSI设计中不可缺少的工具.随着复杂性的增大,CAD越来越成为VLSI设计的核心.     

具有三种基本单元结构的CMOS门阵列设计

一、前言 集成电路设计和工艺技术的进步。使得集成度以每一年半翻一番的速度进展,每个芯片上包含的功能越来越大, 除了存储器和微处理机这些标准的电路之外,为某一用户特殊使用的专用电路的比例将越来越大,据估计,到1990年,专用电路将占LSI的一半以上。可是设计大规模的专用电路,按传统的设计方法将花费大量的时间和成本,为解决这一矛盾,产生了半定制设计方法,这就是仅仅改变一个或少数工序便可改变电路品种的集成电路设计方法。     

一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路

提出了一种高温OICMOS电路设计方法－－自动体偏置多阈值电压SOICMOS（简称ABB－MT－SOICMOS：Auto-Bulk-BiasedMulti-ThresholdSOICMOS）电路。文中主要讨论了ABB－MT－SOICMOS电路的结构与工作原理,设计与布局等,给出了内部电路电压和电流的模拟结果,并简述了该电路的应用前景。     

新型无负阻击穿双栅型高压NMOS集成器件

本文讨论了高压NMOS集成器件中负阻击穿观象的机理。给出了发生负阻击穿的判定条件,建立了模型。 采用与目前国际上先进的主流工艺——n阱硅栅等平面CMOS工艺完全兼容的工艺流程,且无需增加任何工艺步骤,研制成一种新型的无负阻击穿的双栅型高压NMCS器件。在栅压为0～10V时,其漏源击穿电压大于300V,最大饱和电流大于0.3mA/单位宽长比(栅压为10V时),导通电阻为44kΩ·单位宽长比(栅压为10V时),具有广泛的应用价值。     

MOS器件的最高工作温度及潜力开拓

本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。