超大规模集成电路物理学(上)

本文是为研究生所开课程之讲课提纲草稿。目的在于使读者对于作为第四次工业革命的基础——超大规模集成电路的物理性质有一个较为清晰的认识。从而把握其发展的规律,方向及其所能达到的极限。使我们在设计和研制集成电路的工作建立在科学的理论基础之上。由于时间仓促及水平所限,这次印出的仅是一个提纲草稿     

CMOS数字集成电路的高温电学性能分析

本文给出了ＣＭＯＳ倒相器的高温等效电路，分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性，文章还讨论了ＣＭＯＳ静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出了的ＣＭＯＳ数字集成电路的高温学特性模型和实验结果相接近。     

低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

高频c—v测试中的串联效应

多年来,对于MIS结构的c—v特性进行了大量的研究但是对于高频c—v测试中串联电容的来源和性能并没有细致的分析。长期以来,对于如图1(a)和(b)所示MIS的c—v测试结构一直认为是正确的结构,其理由是硅衬底（背面）和金属测试     

集成电路 流量传感器

木文介绍了硅集成液体流量传感器的结构、工作原理和新颖的背面敏感封装技 术? 理论和实验结果表明, 这种传感器具有很高的灵敏度, 特别适合于液体小流量的测量     

PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

差分对结构pH－ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。     

整片集成与容错技术

硅整片集成(WSI)体现了超大规模集成技术的最新发展方向之一.本文介绍其基本概念,设计思想及研究方向,着重说明采用容错设计技术实现WSI的方法.文中概述了国外研究动态,并就国内开展该课题的研究提出了建议.     

多功能集成传感器中多晶硅桥的研究

本研究将多晶硅桥结构作为多功能集成传感器的敏感元件,可用于测量流速、流向、温度,光学量等等,其工艺简单,性能优良,兼容性强,设计灵活,为解决传感器的集成化、多功能化,实现微机械加工技术提供了有效的途径。水文介绍了主要工作原理,给出了多晶硅桥制造的工艺条件,理论分析与实验结果一致。