一种测量硅中少子扩散长度和复合寿命的新方法

少子扩散长度和少子寿命是硅片的重要参量.本文介绍了在硅片上制造突变结的二极管来测量和计算硅片中的少子扩散长度和少子复合寿命的方法,其基本原理就是依据肖克莱方程所显示的二极管伏安特性.该方法还适用于改变测试温度的条件,由此可获得不同温度下的少子扩散长度和少子复合寿命这二个参量的数值.     

GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型

本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.     

REQUIREMENT OF SILICON FLATNESS FOR SILICON DIRECT BONDING TECHNOLOGY

The influence of silicon slice flatness on bonding technology and the relation between a foreign particle and resulting bubble are quantitatively presented by the elastic theory. It is demonstrated experimentally by X-ray double crystal diffractometry and infrared imager.     

宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上,减小到8％以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。     

pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响

分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。     

固态器件研究的前沿——第十五届欧洲固体器件会议综述

一、概况 第十五届欧洲固体器件研究学术会议（ESSDERC’85）1985年9月9日至12日在西德亚琛举行。共有400余人参加了会议。他们来自欧洲（包括东欧和苏联）各国,日本,美国,加拿大和中国。我国仅有我代表南工微电子中心宣谈了题为“一种新型恒温MOS流量传感器”的论文参加。     

全集成式流量传感器

<正> 我们首次研制出恒定芯片温度(CCT)式集成流量传感器后进行了有关该传感器的性能改善和实用化方面的工作。本文介绍把外接电阻和取样电阻等外接元件均集成在一个芯片上的全集成式流量传感器。 CCT型流量传感器共三大部分(在同一芯片上),其中A表示运放。流体流过芯片