电成像测井资料变换为孔隙度分布图像的研究

FMI成像测井给出了由电阻率像素点阵构成的图像.将此电阻率点阵通过Archie公式转换为相应的孔隙度点阵;以一个地层为一个图像窗口单元,计算每一个点阵的孔隙度对用常规测井资料确定的该地层的总孔隙度的贡献份额,并做出它沿孔隙度值的统计分布图;计算出不同m值对应的m∫a值,并绘出m∫a-m曲线.孔隙度分布图因储层类型的不同而不同,地层的溶蚀程度是影响m∫a-m曲线形态的重要因素.这些现象给定量评价储层的缝洞孔隙发育带来了希望.     

持续ST段抬高对直接经皮冠脉介入治疗疗效的影响

目的探讨心电图梗死相关导联持续ST段抬高对判断直接PCI治疗AMI疗效的应用价值.方法根据心电图梗死相关导联ST段抬高回落情况将229例直接PCI后TIMI血流3级的AMI患者分2组:ST段回落＞50%组(甲组),147例;与ST段回落＜50%组(乙组),82例,比较两组一般临床特征,随访心血管事件的发生率.结果甲乙两组:无复流(blush分级＜2级)为14/147(9.5%)和21/82(25.6%);住院期间病死率5/147(3.40%)和9/82(11.0%);MACE 8/147(5.4%)和11     

制冷压缩热为烘干线热源的实验与研究

对以制冷压缩热为烘干线热源进行了可行性研究与实验,为更有效地利用制冷机压缩热进行了有益的探索。同时探讨了以制冷压缩热作为烘干线热源的烘干线的设计方法。     

基于FPGA的PPM调制解调系统设计

光通信技术的蓬勃发展对调制解调技术提出了更高的要求,脉冲位置调制（PPM）有较高的平均功率利用率,传输速率以及较强的抗干扰能力,能够很好地满足实际需求。从脉冲位置调制的基本原理出发,基于FPGA对PPM调制解调系统进行设计,特别是对PPM的帧同步进行详细说明,并用Verilog HDL语言对系统进行时序仿真,验证了设计的正确性。     

基于LED的紫外光通信调制方式研究

紫外光通信是一种具有很大潜力的短距离通信方式.针对基于LED的紫外光通信特点,详细分析了脉冲位置调制(PPM)、差分脉冲位置调制(DPPM)和数字脉冲间隔调制(DPIM)的调制结构.并结合MATLAB仿真结果,以开关键控调制(OOK)为基准,系统比较了各种调制方式的带宽需求、平均发射功率和误时隙率等参数.最后结合紫外光通信的工程运用特点给出了分析结论.     

用于高精度实时动态定位的整周模糊度解算

本文主要针对RTK技术中最关键的问题——整周模糊度解算进行了深入分析和详细讨论,并以此为基础,实现了一种具有较强实用性的高精度实时动态定位算法。实验结果表明,该算法对GPS和GLONASS数据均可实现毫米级的精确定位。     

调频与调相连续波雷达信号的识别

针对复杂雷达信号的识别,提出了调频连续波(FMCW)和调相连续波(PMCW)雷达信号的识别算法。首先理论分析了周期性连续波(CW)信号自相关函数的特点,利用自相关函数来提取信号的调制周期。根据调制周期将信号进行分段,对分段后的信号采用时频域的非相干积累得到信号的时频分布。通过时频分布进行了时频脊线的提取和时频图像的处理,最终识别出调制类型。仿真结果表明,该算法在低信噪比(SNR)下具有很好的识别效果。     

基于定向天线的移动自组网TDMA协议研究

传统的移动自组网大多采用全向天线组网,为提高传输距离、减少时隙冲突、提高时隙利用率,因此在组网过程中引入定向天线。为解决移动自组网中因引入定向天线带来的时隙冲突问题,论文从研究较为成熟的DTRA协议出发,通过在帧结构中增加随机微时隙的方式来减少时隙冲突。为给网络中各节点提供高效、公平的时隙分配策略,论文改进了DTRA协议中的时隙预留过程,提出了基于节点自身缓存队列数分配不同优先级时隙数目的动态时隙分配算法。通过提出的DTDMA协议与DTRA协议进行的对比仿真,验证了提出的DTDMA协议能够有效减少时隙冲突,且协议在保证高优先级节点可多申请数据时隙的前提下,改善了节点接入信道的公平性。     

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.