石油钻机西门子6SE70变频器维修技术

西门子6SE70系列变频器控制装置采用全数字控制技术,功率部分采用IGBT的电压源型PWM交流变频传动装置,具有更高的精度、可靠性和效率。在变频器在应用中,会出现各种故障现象,本文针对西门子6SE70系列变频器,提出了维修的基本方法,并对常见的故障现象进行了分析,从而提高处理变频器故障的技术水平。     

锆合金激光熔覆镍基复合层微观组织及界面特征

以Ni35自熔性合金粉末为熔覆材料,采用激光熔覆技术在锆合金表面原位生成了NiZr₂/陶瓷增强镍基涂层.利用金相显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪等对熔覆界面附近的微观组织、物相组成及界面结合特征进行分析.结果表明,熔覆层基体组织为NiZr+Ni₁₀Zr₇,增强相NiZr₂以细针状均匀分布在熔覆层上部和底部,块状及棒状的陶瓷相Zr₅（Si_xNi_1-x）₄/Zr（Si_xNi_1-x）分布在熔覆层中部,熔覆层与基体间实现良好的熔焊冶金结合,界面结合区组织不均匀,分布有等轴状NiZr及晶间的α-Zr,熔覆层的显微硬度分布均匀,平均值约为1 100 Hv.     

捡回的命

李某是掘进区的一名送饭工,18年前因为一次违章扒乘矿车上井,被卸入煤仓,差点丢了性命. 故事还得从1988年8月的一天夜班说起.李某送完饭出来延误了一趟人行车,这可把一心想早上井的李某急坏了.他一会儿跺脚,一会儿转圈,就像热锅上的蚂蚁一样.     

浅析电力配网系统自动化新技术的应用

新世纪以来,我国的社会经济水平与科技发展的速度不断加快,很多领域都在致力于新技术的突破与应用,推动了行业的进步与发展。同样电力事业的进步发展也依赖于新技术的开发和支持。近年来电子信息技术以及自动化技术的不断发展给电力事业的发展带来了福音。在电力配电网系统中运用自动化新技术,可以实现自动控制、检测、决策等操作,有效提高电力配电效率,实现高效数据传输与控制,保证系统运行的安全可靠性能,为人们的用电需求提供保障。本文主要针对应用新技术的必要性、新技术成果的应用与需要注意的相关问题展开探讨,希望有助于电力配网系统的发展进步。     

PEMFC扩散层微结构的分形维

采用分形理论中的重要参数分形维对质子交换膜燃料电池(PEMFC)扩散层的微结构特征进行描述。通过扫描电子显微镜(SEM)采集了TGP-H-060型碳纤维纸和聚四氟乙烯(PTFE)处理过的TGP-H-060型碳纤维纸的平面图像。采用盒维法分别测定了扩散层不同结构特征体:固体骨架、孔隙及两者间界面的分形维。结合盒维法计算原理,研究了三个特征体分形维之间的关系。研究结果表明,当试样孔隙率大于0.5时,孔隙的盒维数大于固体骨架的盒维数,大于两者间界面的盒维数。通过分析可知,用分形维来刻画扩散层(多孔介质)的微结构特征是合理的。可以考虑将分形理论应用到质子交换膜燃料电池建模过程中,使得仿真计算结果更接近实际情况。     

石油产品蒸馏实验的改进

目前我校化工教学实验每次只是单独使用一种蒸馏方法,分别为实沸点（TBP）蒸馏、恩氏蒸馏、克氏蒸馏实验。为使学生将所学知识用于解决石油炼制领域的实际问题,针对炼油厂实际情况,选用不同石油产品,在开设实沸点（TBP）蒸馏、恩氏蒸馏、克氏蒸馏实验的同时,开设气相色谱模拟蒸馏实验。学生需掌握模拟蒸馏数据与其他蒸馏方法特点,同时考察各蒸馏数据的准确性。     

Rabin密码算法的快速实现研究

首先分析了利用MRC方法改进Rabin密码的解密算法,然后结合素性测试的优化策略和运算数与Visual C++6.0的特性,提出一种基于递归技术的快速素性测试方法。     

苏州工业园区推进新型工业化的实践探索

苏州工业园区是电子信息方向和工业互联网方向的国家新型工业化产业示范基地,拥有纳米新材料、生物医药和高端医疗器械两个国家先进制造业集群,是全国实体经济发展质效最好、产业竞争能力最强、科技创新生态最优的开发区之一。近年来,苏州工业园区坚定不移推动制造业转型升级,加快战略性新兴产业融合集群发展,构建现代服务业与先进制造业深度融合发展格局,前瞻布局未来产业,走出了一条具有开发区特色的新型工业化道路,发挥了示范引领作用。     

用SiO2微粉制备碳化硅粉体的研究

为回收利用SiO2微粉,探究了以SiO2微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的最佳工艺条件;研究了分别以石油焦、活性炭和石墨粉为还原剂对冶炼效果的影响。在最佳碳质还原剂的基础上,研究了不同配碳比(还原剂与SiO2微粉的质量比为1∶3.5、1∶3、1∶2.5、1∶2、1∶1.5)和不同冶炼时间(15、30、45、60 min)对冶炼效果的影响。结果表明:石油焦、活性炭、石墨粉3种碳质还原剂中,石油焦的冶炼效果最佳;将石油焦与原料SiO2微粉以质量比1∶2进行混合,在中频感应炉中以1650℃冶炼45 min为最佳冶炼工艺条件;以此能够得到晶粒生长较好、品质较高的碳化硅粉体,碳化硅含量高达93.50%(w)。