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112.
113.
根据大量的实验检测结果,对掺杂Si、Al、K 钨丝中充钾气泡的形成与弥散化规律以及钾泡对位错运动和晶界迁移的作用等问题进行了详细的分析。提出了有序排列钾泡的形成与分裂弥散的模型,给出了计算钾泡基本参数的公式,讨论了掺杂钨丝特殊再结晶晶粒形成的可能模型。并提出了钾泡所引起的特殊大长宽比晶粒结构所导致的高温下的组织强化以及大量钾泡本身与位错的交互作用是掺杂钨丝气泡强化的主要机制。 相似文献
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以氧化物粉末为起始原料,通过高能球磨制备CaO,SiO2混合粉体,并经高温烧结制备了硅灰石陶瓷。用X射线衍射仪、扫描电镜、差热热重分析手段研究了高能球磨过程参数、热处理工艺制度等对混合粉体的相组成、显微组织、硅灰石的相组成及变化规律的影响和相关规律。结果表明:机械力化学作用能够细化晶粒、提高混合粉体的反应活性和诱导室温化学反应。球磨200h的样品在1125℃烧结4h可以获得β-硅灰石单相陶瓷。 相似文献
115.
B位复合离子取代NBT无铅陶瓷的电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用两步合成工艺制备了新型Na1/2 Bi1/2Ti1-x(Ni1/3Nb2/3)xO3系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对NBT陶瓷晶体结构及压电、介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.适量的取代能提高材料的压电性能,在x=3%时压电常数d33=98pC/N,x=2%时厚度机电耦合系数kt=0.46,为所研究组成中的最大值.该体系陶瓷具有较大的kt值和较小的kp值,以及较大的各向异性,是一种优良的、适合高频下使用的超声换能材料. 相似文献
116.
低温烧结玻璃/陶瓷复合材料的微结构及性能 总被引:1,自引:4,他引:1
借助钙长石陶瓷和硼酸盐玻璃良好的介电和热膨胀性能,制备了一系列玻璃/陶瓷复合材料,并对这些复合材料进行了X射线衍射分析、扫描电镜观察和性能测试.结果表明:复合材料的介电常数、热膨胀系数和显微硬度随着陶瓷含量的增加而增加,其介电损耗则随陶瓷含量的增加而减小.陶瓷含量(质量分数≥60%)高的复合材料在高于850℃烧结时析出一定量的α-石英和方石英,这增加了材料的热膨胀系数,但对其介电常数影响不大.所制备的复合材料具有高的相对密度(≥96.5%)、低的介电常数(5~6)、低的介电损耗(0.10%~0.42%)、低的热膨胀系数(4.6×10-6~6.5×10-6/℃)和低的烧结温度(≤900℃),有望用作介电材料和基板材料. 相似文献
117.
堇青石基玻璃陶瓷的制备与展望 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了制备堇青石基玻璃陶瓷的三种方法 :熔融法、烧结性和溶胶—凝胶法 ,综述了玻璃组成、添加剂和晶核剂对堇青石基玻璃陶瓷的烧结特性及性能的影响 ,并对其未来的发展进行了展望 相似文献
118.
为了改善无铅压电陶瓷介电性能,采用传统陶瓷制备方法,制备一种新型Bi基钙钛矿型三元系无铅压电陶瓷(1-x-y)BNT-xBKT-yBiFeO3,并研究极化对该体系陶瓷介电性能的影响以及介电性能随频率的变化规律。结果表明:极化后的介电常数和介电损耗低于极化前。极化前的介电常数和介电损耗随BiFeO3含量的增加变化不明显,极化后的介电常数和介电损耗随BiFeO3含量的增加而增加。极化前和极化后的介电常数和介电损耗随BKT含量的增加而增加。介电常数和介电损耗随频率增加分别降低和增加,但降低和增加速率随频率增加而降低。 相似文献
119.
高能球磨Mg-Ni非晶的电性能及容量衰减机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用高能球磨方法制备了Mg-Ni非晶,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、差热分析仪(DTA)、电池综合性能测试仪等分析了该非晶的热稳定性、活化性能、电化学稳定性以及容量衰减机理等。结果表明:Mg-Ni非晶在室温下首次活化即可达到最大容量440mAh.g^-1,具有较好的充放电活化特性,但是其容量衰减较快,其主要原因有:非晶相在充放电过程中逐渐晶化形成Mg2NiH4,Ni相;Mg被电解液腐蚀生成Mg(OH)2;非晶颗粒经多次循环后产生粉化。在Mg-Ni中添加适量的镧可提高其热稳定性、电化学稳定性且不影响其活化性能。 相似文献
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