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161.
PTC陶瓷材料的发展及应用 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了PTC陶瓷材料的发展及应用现状,展望了PTC材料的发展前景,指出了我国在研究和生产PTC材料中存在的一些问题,阐明了加速该材料开发的几点建议。 相似文献
162.
163.
采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB:5%MoOx]/[NPB:3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件(OLED)。以Alq3为发光层,器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W,比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%,而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性,改善电荷平衡因子,从而促进了发光效率和功率效率的提高。 相似文献
164.
165.
研究了钴对钼粉还原过程及退火钼丝力学性能的影响。结果表明,加入钴后有利于MoO3的还原,烧结钼坯密度增加,并且降低了丝材的再结晶温度,明显改善了退火钼丝的延性。 相似文献
166.
167.
采用雾化法分别制备了Ag-9.5Sn和Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末,使用热重分析仪研究了相关合金在900℃氧化动力学曲线;并分析了合金粉末氧化前后的粉末颗粒形貌及表面成分。结果表明:Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末氧化时,其快速氧化增重过程分为两阶段,且第1阶段快速增重速率比第2阶段快;微量添加In能促进第1段快速氧化增重,In与Sn氧化后形成一层均匀致密的氧化膜阻碍了第2阶段快速氧化增重。 相似文献
168.
MoSi_2-Mo_5Si_3复合材料的低温氧化行为 总被引:1,自引:1,他引:1
通过热重分析 (TGA)、X射线衍射 (XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了 Mo Si2 - Mo5Si3复合材料的低温氧化行为 ,指出材料低温氧化时 ,随 Mo5Si3量增多 ,材料氧化加剧 ,当 Mo5Si3含量超过 16 % (质量分数 )时发生“PEST”现象 ,所形成的 Si O2 由于 Mo O3晶须的大量存在 ,使其不能均匀连续地分布于材料表面 ,从而加剧了氧化 相似文献
169.
电子封装微晶玻璃基板的介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性。结果说明,未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化,而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明,添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加,其他样品的介电损耗随测试温度基本不变,并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。 相似文献
170.
Bi2O3对堇青石陶瓷的烧结行为、相变和热膨胀性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线衍射仪、差热分析仪和热膨胀仪等手段研究了由氧化物粉末(MgO、Al2O3和SiO2)制备堇青石陶瓷时,添加Bi2O3对堇青石陶瓷相变和性能的影响,分析了Bi2O3在饶结过程中的作用机理是低温产生液相促进烧结。试验表明,Bi2O3能明显降低饶结温度,在1250℃烧成3h后的陶瓷是由α堇青石和少量的μ堇青石组成。随着Bi2O3含量增加,陶瓷的致密度和热膨胀系数逐渐升高。Bi2O3的添加量(质量分数)为0.04,原料相石英消失。Bi—O膨胀系数较Si—O的大和Bi^3 离子进入堇青石晶格中是引起堇青石陶瓷热膨胀系数升高的主要原因。 相似文献