PTC陶瓷材料的发展及应用

介绍了PTC陶瓷材料的发展及应用现状,展望了PTC材料的发展前景,指出了我国在研究和生产PTC材料中存在的一些问题,阐明了加速该材料开发的几点建议。     

烧结工艺对BaTiO3基PTCR电阻-温度系数的影响

研究了在制备掺杂Nb2O5的BaTiO3基PTC热敏电阻时,烧结工艺对电阻-温度系数的影响。探讨了通过烧昝工艺提高电阻-温度系数的方法与途径,并通过性能的测试对比以及利用SEM分析,对烧结工艺对电阻-温度系数影响的作用及机理进行了初步讨论。     

金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED

采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB:5%MoOx]/[NPB:3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件(OLED)。以Alq3为发光层,器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W,比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%,而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性,改善电荷平衡因子,从而促进了发光效率和功率效率的提高。     

氧化铁膜的溶胶凝胶法制备及其光学性能

在乙酰丙酮络合FeCl3的乙醇溶液与环氧氯乙烷生成溶胶中,使用提拉法在玻璃基体上制备了无裂纹的氧化铁薄膜,并用X衍射仪和红外-可见-紫外光谱仪测量了其性能。氧化铁薄膜由XRD衍射确定了其结构以α- Fe2O3形态组成。     

加钴钼丝研究

研究了钴对钼粉还原过程及退火钼丝力学性能的影响。结果表明，加入钴后有利于ＭｏＯ３的还原，烧结钼坯密度增加，并且降低了丝材的再结晶温度，明显改善了退火钼丝的延性。     

三坐标测量基本参数对测量准确度影响的研究

以三坐标测量机基本参数的修改利用为切入点,阐述参数设置与精度提高的关系,通过更改基本参数对监测工作的精确度、效率等方面进行对比试验,以求获得优于各厂商为三坐标测量机设定的出厂参数,从而改变三坐标测量机基本参数被视为无形硬件不可修改的事实。     

微量添加In对Ag-Sn合金粉末氧化机理的影响

采用雾化法分别制备了Ag-9.5Sn和Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末,使用热重分析仪研究了相关合金在900℃氧化动力学曲线;并分析了合金粉末氧化前后的粉末颗粒形貌及表面成分。结果表明:Ag-7.6Sn-0.87In合金粉末氧化时,其快速氧化增重过程分为两阶段,且第1阶段快速增重速率比第2阶段快;微量添加In能促进第1段快速氧化增重,In与Sn氧化后形成一层均匀致密的氧化膜阻碍了第2阶段快速氧化增重。     

MoSi_2-Mo_5Si_3复合材料的低温氧化行为

通过热重分析 (TGA)、X射线衍射 (XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了 Mo Si2 - Mo5Si3复合材料的低温氧化行为 ,指出材料低温氧化时 ,随 Mo5Si3量增多 ,材料氧化加剧 ,当 Mo5Si3含量超过 16 % (质量分数 )时发生“PEST”现象 ,所形成的 Si O2 由于 Mo O3晶须的大量存在 ,使其不能均匀连续地分布于材料表面 ,从而加剧了氧化     

电子封装微晶玻璃基板的介电性能

研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性。结果说明，未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化，而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明，添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加，其他样品的介电损耗随测试温度基本不变，并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。     

Bi2O3对堇青石陶瓷的烧结行为、相变和热膨胀性能的影响

采用X射线衍射仪、差热分析仪和热膨胀仪等手段研究了由氧化物粉末(MgO、Al2O3和SiO2)制备堇青石陶瓷时，添加Bi2O3对堇青石陶瓷相变和性能的影响，分析了Bi2O3在饶结过程中的作用机理是低温产生液相促进烧结。试验表明，Bi2O3能明显降低饶结温度，在1250℃烧成3h后的陶瓷是由α堇青石和少量的μ堇青石组成。随着Bi2O3含量增加，陶瓷的致密度和热膨胀系数逐渐升高。Bi2O3的添加量(质量分数)为0．04，原料相石英消失。Bi—O膨胀系数较Si—O的大和Bi^3 离子进入堇青石晶格中是引起堇青石陶瓷热膨胀系数升高的主要原因。