WC颗粒增强铜基复合材料的研究

用粉末冶金法制备了WC增强的WC／Cu复合材料，研究了WC含量对复合材料性能的影响，分析了复合材料的再结晶行为，结果表明：WC体积含量为1.6％时，细小的WC粒子均匀分布，弥散效果好，材料的密度为8．41g／cm^3，硬度为HV151，电导率为85％IACS，其综合性能较优；WC粒子能显提高复合材料的再结晶温度。图6，表1，参10．     

掺杂元素La、F对尖晶石LiMn2O4材料结构及性能的影响

采用X-射线衍射仪(XRK)、扫描电子显微镜(SEM)、电池测试系统等研究了掺杂元素La、F对高温固相合成尖晶石型LiMn2O4材料的相结构、貌、活化性能、循环稳定性能的影响.结果表明:掺杂元素La、F可有效地提高LiMn2O4样品的充放电效率、循环稳定性能:随着掺杂元素F含量的增加,LiMn2O4-xFx样品的初始容量降低、循环稳定性能呈现出先增后减的变化规律;当掺杂元素La、F的含量较少时,LiLay,Mn2-yO4-xFx样品具有纯的尖晶石LMn2O4结构,样品呈球形或近球形,粒径范围为0.5～2.5 μm,LiLa0.02Mn1.98O3.95F0.05样品的初始放电容量为123.6mAh/g,经30次循环充放电后的容量为114.6mAh/g,容量保持率为92.7%,具有较好的活化性能和循环稳定性能.     

高能球磨对AgSnO_2电触头材料组织与性能的影响

对雾化法制备的AgSnO2粉末进行球磨处理,研究了高能球磨对AgSnO2粉末的形貌及其烧结性能的影响。结果表明:高能球磨有利于提高AgSnO2粉末的烧结性能,改善烧结坯的显微组织以及第二相粒子SnO2在Ag基体中的分布,因而获得了晶粒细小、致密度高、抗弯强度大以及加工性能优良的AgSnO2电触头材料。     

Mo—La2O3烧结坯间隙杂质的研究

通过扫描电镜（ＳＥＭ）、电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）研究了Ｍｏ－Ｌａ２Ｏ３烧结坯中的间隙杂质。结果表明：Ｌａ２Ｏ３的加入提高了烧结睛坯的抗弯强度和韧性。间隙杂质不驻存在于Ｍｏ中,而且在Ｌａ２Ｏ３粒子表面吸附,使晶界杂质浓度降低。     

(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xBiNiO3无铅压电陶瓷的制备与性能

利用传统固相合成法制备了(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xBiNiO3 ( (1-x)NKN- xBN) 无铅压电陶瓷.采用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对其显微结构与性能进行研究.结果表明,该体系所研究组分范围内均能形成典型的ABO3型钙钛矿结构,在x=0.006～0.008间存在准同型相界(MPB).体系主要压电性能在x＝0.008左右获得优化,其压电常数d33和机电耦合系数kp 均达到极大值(分别为135 pC/N和44%), 机械品质因数Qm为122,正交-四方转变温度TO-T和居里温度TC分别为155 ℃和385 ℃.     

CBN磨具用玻璃结合剂的结构与性能研究

采用传统熔体淬法制备了R2O—MO—B2O3-Al2O3-SiO2多元系统玻璃结合剂（R为碱金属,M为碱土金属）。利用红外光谱技术研究了玻璃的结构。测试了玻璃结合剂的抗弯强度和热膨胀系数,分析了玻璃组成及结构变化对玻璃性能的影响。结果表明：所有玻璃网络中均存在[SiO4]、[AlO4]四面体和[BO3]三角体结构单元。当SiO2增加到58．95mol％时,玻璃网络中出现[BO4]四面体,此时玻璃的抗折强度急剧下降,而膨胀系数由增大变成减小。SiO2含量为55．09mol％的样品适合用作CBN磨具玻璃结合剂。     

La2O3掺杂对(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3陶瓷性能与微结构的影响

采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiOa(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响.结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大.室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大.与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显.当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d3a=160 pC/N,kp=0.322.当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低.     

利用单缝衍射测金属材料的线膨胀系数

根据单缝衍射原理,利用CCD数据采集系统来测量金属体随温度升高的伸长量,给出测量金属线膨胀系数的一种新方法.此方法采用CCD图象处理技术与计算机技术相结合,实现了数据采集、计算处理自动化.有效降低了测量时人为因素的影响,提高了测量的准确度.它为物理量的转换测量提供了一种可行的参考途径.     

银粉粒径及形貌搭配对无铅导体浆料性能的影响

从银粉的不同粒径级配与形貌搭配方面考察其对无铅导体银浆烧结后膜层的电阻率、附着力的影响。选取了平均粒径分别为0.1,0.4,1μm的球形银粉以及平均粒径为3~6μm的片状银粉,首先将3种粒径的球形银粉按不同比例的搭配得到3种球形银粉最紧密堆积的最佳比例,然后根据Dinger-Funk粉体堆积原理进行验证,最后再与片状银粉搭配制得导电银浆。实验结果表明,在大颗粒间填充小颗粒能增加粉体堆积的致密度,从而明显降低烧结后膜层的方阻,同时通过在片状银粉之间空隙填充这种致密度好的球形混合银粉颗粒,比单纯使用片状银粉制得的银膜层方阻更低。通过本次实验制得的银膜外表致密光洁,可焊性、耐焊性良好,方阻为3.78 m?/□、附着力40 N/mm~2。     

Y替代对Y_n(Ba_(0.8)Bi_(0.2))_(1–n)Fe_(0.9)Sn_(0.1)O_3负温度系数热敏陶瓷电学性能的影响

采用传统的固相烧结法制备了Yn(Ba0.8Bi0.2)1–n Fe0.9Sn0.1O3负温度系数热敏陶瓷。借助X射线衍射分析仪、扫描电镜、阻温测试仪和交流阻抗分析仪对这类热敏陶瓷的物相、显微结构、阻温特性和阻抗特征进行了表征分析。所得Yn(Ba0.8Bi0.2)1–n Fe0.9Sn0.1O3热敏陶瓷为伪立方钙钛矿结构,粒度约1.0μm,随Y含量增加晶格常数a变小;其室温电阻率、热敏常数和活化能分别介于2.17~9.17 M?·cm、6757~7171 K和0.583~0.618 eV范围内,且均随Y含量增加趋于增大。阻抗分析表明,在n=0.02、0.04时,陶瓷体电阻由晶界、晶壳和晶粒电阻构成,其中晶粒电阻贡献最大;而在n=0.06、0.08时,陶瓷体电阻由晶界、畴壁和电畴三个部分构成,其中电畴区域电阻贡献最大;在限定的测量温度范围内,晶界、晶壳、晶粒、畴壁和畴电阻均表现出负温度系数热敏行为。