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221.
CuO掺杂BFS基厚膜热敏电阻的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
以固相法制备的BaFe1–xSnxO3(BFS)材料为功能相、BaBiO3为粘结相、CuO为掺杂剂,制备了新型BFS基厚膜热敏电阻浆料,并用此浆料制备了BFS基厚膜热敏电阻。借助SEM和ρ-t特性测试仪,研究了CuO掺杂量对所制电阻显微结构及电性能的影响。结果表明:随着CuO掺杂量的增加,BFS基厚膜热敏电阻的方阻逐渐降低,其B25/85值则先缓慢上升,接着迅速降低,而后又逐渐增加。当CuO质量分数为14%时,所得电阻样品性能较好且具有明显的NTC特性,其方阻、B25/85值及电阻温度系数αR分别为:2.8×105?·□–1,3285K和3.69×10–2℃–1。 相似文献
222.
以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。 相似文献
223.
224.
225.
玻璃陶瓷复合材料的制备、微结构和性能 总被引:1,自引:2,他引:1
采用电子陶瓷工艺制备了一系列玻璃/锶长石陶瓷复合材料,并对复合材料进行X射线衍射分析、扫描电镜观察和性能测试。结果表明:复合材料的介电常数、热膨胀系数和显微硬度随着锶长石含量的增加而增加,而介电损耗随锶长石含量的增加而减小。锶长石含量大于50%(质量分数)的复合材料中α石英和方石英的析出增加了材料的热膨胀系数,但对材料的介电性能影响不大。所制备的复合材料具有低的介电常数(5.2~5.8)、低的介电损耗(0.10%~0.25%)、低的热膨胀系数(4.4×10-6~6.2×10-6℃-1)和低的烧结温度(≤900℃),有望用于电子封装领域。 相似文献
226.
高能球磨对堇青石基陶瓷的相组成和相变机理的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用X射线衍射(XRD))和扫描电镜(SEM)研究了由氧化物粉末制备堇青石陶瓷时,高能球磨及其后续热处理对堇青石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了高能球磨的作用机理;探明了经高能球磨的样品在低温烧成(900℃)时,首先出现了新的中间相镁铝尖晶石(MgAl2O4),1100℃中间相消失。与未球磨的样品比较表明:高能球磨不仅能够降低堇青石的相转变温度,而且可以大幅加快中间相和原料相向α-堇青石转变的速度,同时发现提高烧成温度有利于中间相向堇青石的转变。研究了粉末状态对堇青石陶瓷相组成的影响,结果表明:加压成型易于使Si^4 、Mg^2 和Al^3 离子扩散,促进早期的固相烧结和后期的液相烧结,并影响各相的相对含量,有利于主晶相α-堇青石的合成,但对相的组成没有太大影响。 相似文献
227.
共沉淀法制备La-BaPbO3导电陶瓷的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1-x、LaxPbO3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba1-x、LaxPbO3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈W形状变化,当x=0.1时Ba1-xLaxPbO3的焙烧温度、形貌、电阻率均达到最佳。 相似文献
228.
MolybdenumDisilicide (MoSi2 )intermetallicspossessesmetallic likeandceramic likeproperties .Studyonitsfrictionandwearcharacteristicshasim portanttheoreticalandpracticalsignificance[1~ 5] .ItisusefultoreinforcetheMoSi2 materialbyusingthesec ondphaseforimprovementofthefrictionandwearcharacteristics[3 ,6] .Hawketal.[3 ] comparedthewearresistanceofMoSi2 withthatofMoSi2 Nbcomposites ,Nb ,aluminides (Fe3 Al,TiAl)andoxidationceramics(Al2 O3 andPS ZrO2 ) ,andfoundthatthewearresis tanceofMoS… 相似文献
229.
2001年1月所发现的MgB2超导体具有39K的临界转变温度,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体,它可能做为一种新型低成本高性能超导体材料而受到广泛关注。本文简述了近期对MgB2超导体的研究工作,介绍了近期主要有关MgB2超导体电子结构研究和应用开发的工作,着重叙述了关于MgB2超导机制的研究。 相似文献
230.
MgB2超导电性研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
2001年1月所发现的MgB2超导体具有39K的临界转变温度,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体.它可能做为一种新型低成本高性能超导材料而受到广泛关注.本文简述了近期对MgB2超导体的研究工作,介绍了近期主要有关MgB2超导体电子结构研究和应用开发的工作,着重叙述了关于MgB2超导机制的研究. 相似文献