Y2O3掺杂（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3无压电陶瓷的研究铅

采用固相合成法制备了Y2O3掺杂（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3无铅压电陶瓷。研究了Y2O3掺杂对（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷晶体结构、介电与压电性能的影响。XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷均能够形成纯钙钛矿固溶体。介电常数-温度曲线显示陶瓷具有弛豫铁电体特征,陶瓷的弛豫特征随掺杂的增加更为明显。在Y2O3掺杂量为0．5％时陶瓷的压电常数d33分别为137pC／N,为所研究组成中的最大值,掺杂量为0．1％时,机电耦合系数kp与kt最大值为0．30,0．47。     

基于数字散斑相关法的管材胀形轮廓方程的构建

在液压胀形中,为了解决管材流动应力关系构建中胀形参数求解难的现状,实现变形参数的在线、全场、非接触测量,提出了基于数字散斑相关法获取管材胀形参数方法。首先,描述了数字散斑相关法的基本原理及应用。然后,利用三维数字散斑动态应变测量分析系统和自行开发的管材自然胀形装置,分别对304不锈钢和H62黄铜管材进行了多组内压力的液压自然胀形试验,并在线获取了管材在各组内压下的变形参数,该系统变形测量精度为0.001 mm。最后,通过点云生成、三维重构、母线提取,获得各组内压力下的管材胀形轮廓方程。将所得结果与测量求解法结果的比较,相对误差均在10%之内,表明这两种求解方法具有较好的一致性,能满足管材胀形参数求解的要求。     

Bi(Fe_(0.9)Mn_(0.1))O_(3+σ)对KNN基陶瓷的相结构及电性能的影响

采用固相烧结法制备了K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-xBi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ(KNN-LS-BF9M1)无铅压电陶瓷,研究了不同BF9M1掺杂量(x分别为0,0.002,0.004,0.006,0.008)对所制陶瓷的显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明,少量BF9M1掺杂能有效抑制KNN陶瓷晶粒的生长,促进组织致密化。当x从0增加到0.006时,样品发生正交-四方相变,同时正交-四方相变温度to-t从95℃降低到40℃;另一方面,压电性能得到明显提高、介质损耗有所降低。当x=0.006时,样品具有最好电性能:d33=260 pC/N,tanδ=2.03×10–2,kp=51.9%,εr=1 241,Qm=44.7,tC=345℃,to-t=45℃。     

RbBe2BO3F2单晶的水热法生长晶体形态和表面微形貌的研究

报道了水热法生长RbBe₂BO₃F₂（RBBF）晶体的结果。在实验中以熔盐法RBBF碎晶料为培养料,分别以Rb₂CO₃和RbF为矿化剂溶液,在生长温度T=400℃⁵00℃,温差△T=10℃³0℃的条件下,生长出了c轴厚度超过5mm的大尺寸的RBBF单晶。结合水热法生长工艺,描述了水热法RBBF晶体的形态,分析了水热法生长RBBF单晶的条件,研究了（0001）面的生长阶梯和凹坑等表面微形貌的形成机理。     

Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究

采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响。结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω.cm。     

电镀电源对金刚石工具镀层平整性的影响研究

研究了不同电源及双脉冲电源不同工作参数对镀层表面粗糙度及厚度变化的影响,采用金相显微镜观察镀层形貌,从而确定获得最佳镀层平整性的电源工作参数.结果表明:使用脉冲电源比直流电源镀层表面更致密光亮,平整性更好;当双脉冲电镀电源正向占空比为30％,镀层表面粗糙度为0.714 μm,平均输出电流为36 A,设备利用率高.正反向脉冲持续时间比为100 ms/20 ms时,镀层表面粗糙度为0.609μm,镀件不同部位厚度差为0.428 mm,满足金刚石电镀工具加工精度的要求,且电镀效率适中,适合工业生产.     

材料物理性能实验的教学现状分析与教改思路

为提高材料专业大学生的创新能力和动手能力,增强其竞争力,促进材料专业实验教学改革,对"材料物理性能实验"课程的教学现状进行了分析总结,并根据实际情况提出了针对性的实验教学改革思路.认为"优化教材,筛选项目,合理分组,信息化、教学组教学"是提高材料专业大学生创新能力、动手能力和综合分析能力的、切实可行的有力措施.为相关实验教学改革提供了切实有效的改革思路.     

A位复合铁电陶瓷Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-BiCrO3的介电弛豫

采用固相反应法制备了A位复合铁电陶瓷(1-x)Bi_0.5(Na_0.82K_0.18)_0.5TiO₃-xBiCrO₃(BNKT-BCx). 研究了该陶瓷在室温至500℃温度范围内的介电性能. 结果表明该陶瓷的介电温谱存在两个介电反常峰和一个介电损耗峰, 低温介电反常峰温度附近具有明显的介电常数频率依赖性, 但居里峰随频率增加基本不变, 与典型弛豫铁电体的特征不同. 将弛豫铁电体分为本征弛豫和非本征弛豫铁电体, 通过分析极化前和极化后陶瓷的介电温谱, 发现该体系低温介电反常峰温度附近的介电频率依赖性为空间电荷和缺陷偶极子极化引起的非本征弛豫.     

Bi2O3对堇青石基玻璃性能的影响

研究了Bi2O3的掺入量和热处理制度对微晶玻璃的烧结和介电性能的影响.结果表明Bi2O3的加入和提高热处理温度有效促进了堇青石基微晶玻璃的烧结致密化.烧结样品的介电常数和介质损耗因子是由存在的晶体结构和致密化程度所决定的.样品的介质损耗因子随烧结温度的增加而减少,与样品的气孔率变化曲线相似.950℃以下,随着温度的增加,样品的介电常数亦增加,与样品的密度变化规律相似.这种材料具有低的介电常数(≈5)、低的介质损耗因子(＜0.2%)和低的烧结温度(约900℃),能够与高导电率的金属如Au,Ag/Pd和Cu共烧,是一种潜在的低温共烧基板材料.     

MoSi2/45#钢在干摩擦条件下的滑动摩擦磨损性能

在MRH-5A型环-块型摩擦磨损实验机上,考察了MoSi2与调质45#钢配对时的摩擦磨损特性。运用KYKY2800型扫描电子显微镜,观察和分析了其磨损表面形貌,探讨了该材料的磨损机制。结果表明：在pv为284.96N.m.s^-1时,MoSi2与调质45#钢对摩时具有较低的摩擦因数和磨损率。在载荷和转速两影响因素中,转速的影响较大,低转速时MoSi2的磨损机制为粘着,且随着载荷的增加,出现粘着膜脱落;高转速时MoSi2材料表面粘着较低速时减弱。