固体火箭发动机内弹道性能的仿真研究

研究发动机燃烧室内压强随时间变化的规律,是固体火箭发动机工作过程分析的主要方面,一般采用实验法可以获得直观可靠的数据,但实验法耗资大、周期长,不易操作。本文根据零维内弹道数学模型,运用龙格库塔法及MATLAB语言对某型固体导弹发动机内弹道工作过程进行数值仿真,画出燃烧室内压强随时间变化的曲线,并进一步分析得出影响发动机内弹道性能的因素,仿真结果与发动机燃烧室内工作情况相符,影响因素分析与实验相一致,为固体火箭发动机内弹道性能研究提供了参考。     

广电集客业务技术发展探讨

0引言随着其他三大运营商的各类IPTV、OTT、智能手机、网络视频等全新收视模式的日臻完善以及不断冲击,有线电视网络压力逐渐增加,基础电视收视用户不断下滑,到目前为止尚未遇见下滑终点,宽带等其他增值业务也日渐萎缩,基础以及增值收入都大幅度下降,各地广电网络公司都出现不同程度的亏损。     

基于FCM算法的硬点门槛值的研究

接触网的平顺性直接影响弓网的受流性能,一般根据受电弓弓头垂直冲击加速度的最大值是否大于预先给定的门槛值判定接触网是否有大的不平顺,即硬点.提出利用模糊聚类方法(FCM)计算判定硬点的门槛值.为了消除速度对弓头垂直冲击加速度的最大值的影响,利用线性回归方法对以跨为单位得到的弓头垂直冲击加速度的最大值样本进行速度等效化.分析结果表明,利用模糊聚类方法得到的评判硬点的门槛值是合理的.     

基于线性CCD的两轮自平衡智能小车控制系统设计

文中设计了一种基于线性CCD图像传感器的两轮自平衡智能小车。该车通过加速度计测量小车倾角和陀螺仪测量车的倾角速度,两个数据融合得到车的姿态,进而控制其自身平衡,通过线性CCD检测赛道的信息实现行走及转向.经实验验证,该智能小车系统稳定,鲁棒性强,符合我们设计的要求。     

大型居民区深度覆盖方案探讨——“方舱”作为综合接入点的使用

为提升大型居民区网络覆盖质量,解决由于大型居民区所需RRU设备众多而导致传统拉远建设方式造成的光芯资源需求大的问题,同时实现室内外协同覆盖,提出了MDAS与＂方舱＂结合的建站方案,并通过与传统基站进行对比分析,验证了该方案的可行性。     

多路温湿度传感器采集及显示系统设计

针对地面气象站多点观测以及气象探测飞机机载拖拽式测量场合,提出一种基于铂电阻和HIH-5031的温、湿度采集电路,通过FPGA实现多路数据汇总至嵌入式显示终端,终端拥有基于Qt/E的实时波形显示软件,并使用SQLite3数据库存储温、湿度数据。经过与光学冷镜式露点传感器的对比测试,验证了其湿度误差小于1%,温度误差远小于0.2℃,且传感器电路响应速度快,实时波形显示界面准确、稳定,可用于地面气象站多点观测和机载拖拽式的测量场合。     

基于Spring的电子政务设计与实现

Spring是J2EE开发的一种轻量级框架,它是为简化传统J2EE的开发过程复杂性而创建的。通过分析Spring框架结构及其特点和构建一个多层体系结构的电子政务系统,展示了Spring框架技术在J2EE开发过程中的强大优势。实践表明,使用Spring可以降低Web应用开发的复杂性,提高开发效率和质量。     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

一种PWM/伪PFM双模调制的降压型DC/DC开关电源

利用根据负载电流的大小变换调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源.当控制电压占空比小于20%时,采用伪PFM(pseudo-pulse-frequency modulation)模式调制;占空比大于20%时,采用PWM(pulse-width modulation)模式调制,平均转换效率约为90%,输出电流范围为0.01～3.0A.控制芯片采用0.5μm DPDM CMOS工艺制造,并采用二次集成的方式在封装内部集成了功率p-MOSFET.