基于变电站一次设备振动量对压力式温度计影响的研究

本文根据昆明供电局500 kV草铺变、德宏供电局500 kV德宏变部分压力式温度计受一次设备产生的振动量无法正常运行甚至损坏的情况,在国内电网企业首次以变电站一次设备运行时产生的振动幅值为分析参数,有针对性的采集云南电网6个500 kV变电站噪音较大的一次设备和配套安装的压力式温度计的振动幅值,通过振动标准装置和试验设...     

4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜（High-Resolution Transmission Electron Microscopy ,简称HRTEM）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottky ,简称JBS）在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究了结终端扩展区（Junction Termination Extension ,简称JTE）的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压（Maximum Surge Peak Reverse Voltage ,简称VRSM）的影响,并结合JBS的基本结构对其进行优化设计;最后,流片测试显示优化设计的4H-SiC结势垒肖特基二极管的VRSM值约为1450V,比原器件提升了20%左右。     

有机电子注入材料对Cs_2CO_3阴极结构电子注入能力的影响

系统对比了不同有机传输材料与Cs2CO3组合对阴极电子注入能力的影响。结果表明,二氮菲类衍生物与Cs2CO3组合电子注入能力最好,唑类衍生物次之,但都明显好于目前常用的Alq3材料。通过进一步比较发现,电子注入能力与有机材料的能级结构没有直接关系,这说明阴极界面处Cs2CO3与有机材料会发生不同程度的化学作用,从而改变电子注入势垒。对于金属螯合物而言,Alq3的电子注入能力明显强于Liq,说明配位金属可能参与了该作用过程。研究表明了Cs2CO3对有机材料具有较强的选择性,可以为设计合成针对Cs2CO3阴极结构的有机电子材料提供参考。     

基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究

详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导,同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。