电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用

介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。     

纳电子器件

随着电子器件的小型化,器件的尺寸已经到了介观尺寸,传统的器件日益接近其物理机理的禁区,一些新的介观器件随之出现.本文根据介观系统的新特点,介绍了几种典型的纳电子器件,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件,量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应.     

聚(丙烯酸-丙烯酰胺)高吸水树脂的制备及性能研究

以环己烷为溶剂,Span80为悬浮稳定剂,丙烯酸(AA)和丙烯酰胺(AM)为共聚单体,过硫酸钾为引发剂,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺(NMBA)为交联剂,采用反相悬浮聚合法制备了聚(丙烯酸-丙烯酰胺)(PAA-AM)高吸水树脂,研究了丙烯酸中和度、单体配比、交联剂和引发剂的用量、反应温度等因素对树脂吸液性能的影响。结果表明,最佳条件下制备的树脂吸去离子水和0.9%NaCl水溶液的倍率分别为1282和109g/g。并且在同等条件下,该树脂样品与法国爱森(SNF)产同类产品相比具有较优异的吸水性能和耐盐性。     

MOCVD气源输运技术研究

利用GaN MOCVD设备的气源输运系统结构,分析了单稀释MO源管路和双稀释MO源管路的工作原理及特点,提出了MO源摩尔流量的计算公式和一种零死区管路设计方案;并且把管路压差控制和气体自动补偿技术应用到了MOCVD设备中。     

量子限制器件

叙述了量子阱、量子点、调谐隧穿二极管、单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图、电学原理和工艺途径。     

量子限制器件

叙述了量子阱，量子点，调谐隧穿二极管，单极隧穿晶体管和双极隧穿晶体管的结构框图，电学原理和工艺途径。     

电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。     

空调机组风机风门自动控制的设计

本文详细论述了为国产３０００ｔ／ｙ纺粘法生产线空调机组设计制造的风门电控系统的工作原理、控制方法和各部的作用。通过与原引进生产线气动控制系统的对经证明，采用新设计的电控方法比气动控制具有更了的控制稳定性。     

基于薄层SOI材料的NEMS结构制备技术

提出一种基于薄层SOI材料的NEMS(nano-electro-mechanical-system)结构制备技术。通过大量实验研究,突破了电子束光刻、ICP刻蚀、CO2超临界干燥释放等工艺技术,可以在常规的薄层SOI材料上加工出任意复杂形状的NEMS结构。作为工艺验证器件,利用该技术在薄层SOI材料上成功实现了梳齿结构NEMS谐振器的样品制备。扫描电镜结果表明,谐振器厚度95nm,谐振梁宽度95nm,梳齿宽度128nm,梳齿间隙83nm,该加工技术可以实现结构完整、完全释放的NEMS结构。     

广播电台音频检索技术研究

系统研究了当前的音频检索技术，并对各种音频检索技术的优势和不足进行了剖析，对广播电台音频检索的未来进行了展望。