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介绍了预硫化丁基-顺丁复合胶板在修复设备橡胶衬里中的应用.通过几年的应用表明,预硫化丁基-顺丁复合胶板衬里是一种行之有效的防腐蚀衬里. 相似文献
12.
介绍了预硫化丁基-顺丁复合胶板在修复设备橡胶衬里中的应用。通过几年的应用表明,预硫化工基-顺丁复合胶板衬里是一种行之有效的防腐蚀衬里。 相似文献
13.
真空炉在需要较高的气冷速度时常用的方法有:1)提高冷却气体压力至2×10~6Pa或更高;2)选用传热系数高的冷却气体(如:氢气或氦气)。但在采用以上方法的同时应考虑淬火过程的经济性。目前,已研制成功一种新型单室真空炉,采用压力高达1×10~6Pa的氮气作为冷却气体,大大改善了冷却能力。 相似文献
14.
刘肃 《中国农村水电及电气化》2005,(12):25-26,36
由《中国农村水电及电气化》杂志社和中国农村水电及电气化信息网联合主办的“学习贯彻《可再生能源法》,加强水能管理”论坛近期在哈尔滨举行。水利部副部长索丽生作书面发言,水利部水电局局长程回洲到会发表重要讲话,部分地方水利厅(局)主管领导相继发言,会议围绕“如何加强水能资源开发利用管理工作”这一主题展开了广泛深入的研究与探讨。本刊在“论坛”栏目中整理,刊登部分发言,以期对各地水行政主管部门学习领会《可再生能源法》,加强水能资源开发管理工作有所借鉴。 相似文献
15.
最大长度序列通过线性反馈移位寄存器产生,广泛应用于脉冲压缩雷达中。针对不同反馈连接产生序列的非周期自相关函数旁瓣特性不同,而目前尚无有效办法寻找具有低旁瓣特性的最大长度序列,利用遗传算法搜索线性反馈移位寄存器的最佳反馈连接,该反馈连接产生最大长度序列非周期自相关函数特性非常好。通过MATLAB仿真了遗传算法搜索过程、最大长度序列非周期自相关函数,给出了4~15级线性反馈移位寄存器反馈连接表,并对最大长度序列非周期自相关函数进行加窗处理,获得了更好的旁瓣抑制效果。 相似文献
16.
自从1978年第一个“质量月”诞生以来,每年质量月的主题也在相应变迁着。当年,质量月是在“生产优质品光荣、生产劣质品可耻”的口号中进行的。当时质量月活动被置于“光荣与可耻”的氛围中,显然是带有很强的提倡色彩。到了市场经济发展阶段。质量已经不需要特意提倡了。因为市场自然会淘汰那些劣质产品出局。所以质量不再与人们情绪化的词汇相联系、相呼应,而是与企业的生存紧密联系起来。如2003年质量月的主题是“坚持以质取胜、提高竞争实力。” 相似文献
17.
利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光(PL)谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。 相似文献
18.
介绍了一种基于FPGA芯片的8位CISC微处理器系统,该系统借助VHDL语言的自顶向下的模块化设计方法,设计了一台具有数据传送、算逻运算、程序控制和输入输出4种功能的30条指令的系统。在QUARTUSII系统上仿真成功,结果表明该微处理器系统可以运行在100 MHz时钟工作频率下,能快速准确地完成各种指令组成的程序。 相似文献
19.
This paper presents an ultra-low-power area-efficient non-volatile memory(NVM) in a 0.18μm singlepoly standard CMOS process for passive radio frequency identification(RFID) tags.In the memory cell,a novel low-power operation method is proposed to realize bi-directional Fowler-Nordheim tunneling during write operation. Furthermore,the cell is designed with PMOS transistors and coupling capacitors to minimize its area.In order to improve its reliability,the cell consists of double floating gates to store the data,and the 1 kbit NVM was implemented in a 0.18μm single-poly standard CMOS process.The area of the memory cell and 1 kbit memory array is 96μm~2 and 0.12 mm~2,respectively.The measured results indicate that the program/erase voltage ranges from 5 to 6 V.The power consumption of the read/write operation is 0.19μW/0.69μW at a read/write rate of (268 kb/s)/(3.0 kb/s). 相似文献
20.