风冷重复频率激光测距机等五项成果通过专家鉴定

机电部兵器科学研究院子1989年12月15日在成都主持召开了鉴定会,对西南技术物理研究所研制的风冷重复频率激光测距机、激光功率测试技术研究、微机电视编辑制作系统、MCTVS-Ⅱ微机多功能电视监视与报警系统和JY型CO2激光医疗机五个项目进行了技术鉴定。专家们听取了各个项目的研制技术总结报告、测试报告和使用报告,并经过认真的评议,认为五个项目均全面达到技术指标要求,一致通过专家鉴定。     

硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的特性

对1×N信道硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的传输特性进行了分析,给出了光学传递函数的公式.在中心波长1550.918nm、波长间隔1.6nm的情况下,对其振幅耦合比率、波谱响应、分光光谱、插入损耗、信道间的串扰进行了数值模拟.计算结果表明,该器件具有以下良好性能:若取小环与信道间的振幅耦合比率为0.27,小环与大环间的振幅耦合比率为0.06,该器件具有箱形波谱响应,输出光谱中的次峰值已被抑制到-25dB,谐振峰平坦且陡峭,3dB带宽约为0.28nm,每条输出信道的插入损耗及串扰较小,插入损耗小于0.71dB,串扰可降至-53dB以下.     

聚合物光纤在中国的应用发展

聚合物光纤在中国的应用是从20世纪80年代中后期首先在丁艺品的应用开始的，目前已成为聚合物光纤在中国最大的应用领域，随后向广告、显示和装饰装潢应用领域扩展，至20世纪90年代末期，聚合物光纤向照明、传像、传感和短距离数据传输应用发展，现已取得很大的进步。     

FPGA在实时图像预处理中的应用

实时图像处理通常需要巨大的数据吞吐量和运算量。因此专用的硬件或者多重处理技术的并行处理很必要。描述了一个基于现场可编程门阵列(FPGA)的灵活的可编程图像处理系统。FPGA特有的逻辑结构单元对实现实时图像处理来说有着先天的优势。在此,我们提出一个通用的实时图像处理模型,并在FPGA上实现了中值滤波算法,从而对采集的实时图像作预处理。     

静磁前向体波—光导波调制器研究

在理论和实验两个方面研究了YIG/GGG结构中静磁前向体波(MSFVW)色散、辐射阻抗和输入阻抗。按模式耦合理论对YIG/GGG结构中MSW-GOW互作用问题作了分析。成功地实现了MSFVW对光导波的调制,作用效率达21％,带宽0.5GHz。     

布里渊温度和压力传感器增敏设计

设计了一种基于分布式传感技术的薄壁圆筒型液体温度和压力传感器.选取具有耐腐蚀、弹性性能好以及热膨胀系数大的不锈钢316L和铍青铜C17200分别对传感器进行封装.利用有限元仿真软件ANSYS Workbench对封装的传感器压力和温度特性进行仿真分析,得到器件的径向应变量,分析其布里渊频移随压力和温度的变化关系.仿真实验表明,使用铍青铜C17200封装的传感器压力灵敏度和温度灵敏度更高,在0～12 MPa、-5～40℃范围内压力灵敏度达11.1 MHz/MPa,温度灵敏度达2.56 MHz/℃,相较于普通单模光纤分别提升7.4倍和1.7倍.     

基于非完备字典的舰船特征提取和识别

提出了一种基于非完备特征字典的舰船特征提取和识别算法。借鉴稀疏表示理论的思想,根据红外图像中舰船的外形特征数据集构造特征字典,将目标信号进行分解,根据匹配字典中每个特征基原子得到特征响应,从而获得目标的特征表示,最后采用 SVM 一对一投票方法进行目标识别,得到最终的目标识别结果。仿真实验表明,与简单的标量区域描述方法和矩特征方法相比,本文方法得到的特征不仅具备更快的提取速度,而且可以更好地区分目标,提高目标识别的正确率。     

GPS、GSM技术在邮运监控系统中的应用

早在1997年就出现了将最新的GSM、GPS(全球定位系统)、GIS(地理信息系统)以及计算机网络技术相结合的系统。它具有机动车辆的调度、管理、防盗、防抢、救助等功能,能够很好地满足生产和指挥调度系统的管理、调度等的需要,也能够很好地满足社会车辆防盗、报警、求助的需要。它使用GPS系统来解算车的位置;利用车中的GSM蜂窝电话向监控中心报告车的状态、位置信息;中心的GIS地图监控系统显示车的准确位置;受过训练的专业人员为使用者提供管理、调度、救生、咨询等服务,使司机的生命安全得到保证。对集团用户则能提高车辆的运营效率,降低运营成本。     

高质量立方相InGaN的生长

利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .