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11.
航天器充放电效应与防护研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
12.
影响空气式静电放电特性的相关因素分析   总被引:3,自引:2,他引:1  
为了提高静电放电特别是空气式静电放电试验结果的重复性,从理论和试验两方面对影响空气式静电放电(ESD)特性的相关因素进行了研究,结果表明:电弧长度是影响空气式ESD特性的一个最直接因素,不同电弧长度会得到差别很大的空气式ESD事件,相同放电条件下,电弧长度越短,峰值电流越大,上升时间越小;其它条件一定的情况下,电极的接近速度会影响到电弧长度而引入时间相关效应,进而影响空气式ESD特性,比如当放电电压一定时,接近速度越快,峰值电流越大,上升时间越小;不同的放电电极极性将产生空间极性效应或空间电荷效应,从而影响空气式ESD特性;不同的环境条件尤其是空气成分与空气湿度对空气式ESD的影响很大。这些研究成果将为空气式ESD的试验规律研究提供理论依据。  相似文献   
13.
IEC61000-4-2标准试验平台的局限性分析及其完善的探讨   总被引:3,自引:2,他引:1  
为解决国际标准IEC 61000-4-2规定的静电放电(ESD)抗扰度试验平台存在的局限性,通过分析ESD模拟器开关动作、ESD电流及其导数、ESD辐射场、试验结果的判定准则和试验方法的不完善规范对ESD抗扰度试验的影响,探讨了IEC标准试验平台问题存在的原因.研究发现,ESD模拟器开关动作对试验结果会产生很大影响,其...  相似文献   
14.
本文通过分析电晕放电EMP特性,利用基于矩量法的商业电磁仿真软件FEKO5.1对某型飞机电晕放电远区辐射场进行了仿真计算,分析了不同频率谐波源激励下辐射场方向图。  相似文献   
15.
为了更好地分析电晕放电辐射信号的特征,笔者利用尖端电晕放电模拟测试系统采集了电晕放电辐射信号数据,研究分析了信号在时域和频域的一些特性。分析结果表明,电晕放电辐射信号首脉冲的方向随放电电压的极性不同而相反,在不同极性放电电压下,放电辐射信号的时域特征差别比较明显,但频谱分布基本一致,放电能量主要集中在50~100MHz之间,频率范围主要在150MHz以下。  相似文献   
16.
电晕电流及其辐射信号特性的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
为得到电晕放电辐射场的时域和频域特征,采用针板结构首先对电晕电流及其辐射场进行了理论分析,然后在此基础上对电晕电流及其辐射信号进行了实验研究。实验表明,电晕电流脉冲波形具有明显的极性效应:①负极性下先发生电晕放电,但正极性放电发生时,脉冲幅值比负极性时大;②负电晕电流脉冲波形的上升时间小于正电晕电流。实验结构不同,电晕放电辐射场的特征不同:利用第①种实验结构得到的放电波形的上升时间为十几个ns,频率分布范围集中在20~100MHz;利用第②种实验结构得到的放电波形的上升时间为几个ns,频率在200~600MHz。该结论对于下一步研究空中带高压物体的电晕放电辐射信号特征具有参考价值。  相似文献   
17.
为得到月尘环境下太阳电池阵表面充电特性,根据等效电路原理,结合月尘特殊环境以及太阳电池阵结构特点,建立了月尘环境下太阳电池阵表面充电模型,并分别在阴暗区和光照区两种不同环境下进行了表面充电数值模拟分析。研究结果表明,由于月球表面复杂的空间环境,不同区域、不同时间具有不同的空间环境,在等效电路数值模拟过程中,电路中各个等效元件的参数值会随着环境的改变而改变。月球日照区域,太阳电池阵表明电势最高可达到100 V。在阴暗区,由于电子的热运动速度远大于离子的热运动速度,太阳电池阵表面电势为-100~-2 000 V,极端条件下能够达到-5 000 V。该计算结果对月尘环境下太阳电池阵静电防护具有一定指导价值。  相似文献   
18.
为解决高能电子给航天器内部孤立导体带来的静电充电问题,综合考虑空间环境中电子流密度、照射电子能量、金属材料二次电子特性及材料大小等因素,理论推导出电子照射金属表面起电时域一般微分表达式。利用有限差分法对微分方程进行数值求解,通过具体例子讨论了不同金属在电子照射下表面电位随时间变化的情况。得到了入射电子流密度、电子能量、金属二次电子系数及照射时间等因素与航天器内部孤立导体表面电位变化规律。结果表明,通过对材料及航天器内部空间环境参数的控制,可以使充电至放电电位所需时间大于放电时间,避免持续不间断放电的发生,从而减小放电造成的危害。  相似文献   
19.
微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究   总被引:7,自引:3,他引:4  
杨洁  刘尚合  原青云  武占成 《高电压技术》2007,33(7):111-114,158
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。  相似文献   
20.
聚合物ESD抑制器抑制特性的测试方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了消除静电放电时产生的辐射场对静电放电抑制器测试结果的影响,基于法拉第笼的屏蔽效应、依据国际电工委员会IEC61000-4-2标准和国军标GJB911-1990,利用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备,测试了某型号聚合物静电放电抑制器的抑制特性。测试结果表明,采用IEC61000-4-2标准规定的电流靶结合法拉第笼的方法,测试静电放电时通过抑制器的电流,能够保证电流波形不失真;而加在抑制器两端的电压,须使用有效带宽足够宽的电压探头配合示波器来测量,同时应尽可能消除静电放电时产生的辐射场对电压探头的影响。  相似文献   
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