不同搅拌桨的耐腐蚀研究

对在高压釜内试验10次后的A~#、B~#、C~#搅拌桨(分别为16Mn钢表面堆焊镍的搅拌桨、16Mn钢表面有陶瓷层的搅拌桨和加强筋结构设计的16Mn钢搅拌桨),通过SEM分析、能谱分析、动电位极化曲线测量对其耐腐蚀性能进行研究。结果表明,三种搅拌桨的腐蚀是由化学腐蚀、磨损腐蚀、应力腐蚀、氧气气蚀等多种腐蚀共同作用的结果。A~#搅拌桨形成了含有Cr、Ni等元素的紧密的钝化层;B~#由于陶瓷层与基体的结合不紧密,导致表层剥离;C~#搅拌桨加强筋的结构设计弥补了基体材料的部分缺陷。三种搅拌桨耐腐蚀性能的排序为A~#C~#B~#。     

氧化时间对Ti6Al4V微弧氧化膜结构及耐腐蚀性能的影响

在磷酸盐体系中采用恒压微弧氧化工艺对Ti6Al4V(TC4)合金进行微弧氧化,研究了不同氧化时间对微弧氧化膜层的表面形貌、硬度、粗糙度以及物相生成的影响,并对不同氧化时间的膜层耐腐蚀性能进行了测试。结果表明：随着微弧氧化时间的延长,氧化膜表面微孔径增大,膜层厚度与表面硬度值先增加后又降低,膜层由金红石、锐钛矿及钙磷化合物组成,且主晶相为钙磷化合物,金红石及钙磷化合物含量均随微弧氧化时间的延长而增加;微弧氧化膜层表面Ca/P摩尔比值为1.56,接近人体羟基磷灰石比值,O/Ti原子比值为2.0,膜层表面主要组成为TiO₂;微弧氧化膜层腐蚀电位逐渐减小,腐蚀电流逐渐增大。     

基于FPGA的超长CIS图像采集系统

介绍一种用于印制电路板孔径孔数检测机的新的基于FPGA的超长CIS图像采集系统,该系统由三个CIS（接触式图像传感）,两个A／D（数／模）转换芯片,一片XC866单片机以及一片XC3S200AN FPGA芯片组成。检测长度为60cm,分辨率为400dpi,其特点是成本低,重量轻,图像清晰,检测长度高。     

多路输出程控恒流源设计

为了满足LED照明对恒流源的需求,设计了一种多通道并联输出程控恒流源,每一通道恒流源可独立控制,独立使用.分析了多通道恒流源系统的特点.采用英飞凌16位微控制器实现系统的智能化控制.描述了该系统的工作原理和硬件结构,给出了恒流源系统的软件设计和实验结果.实验结果表明,该系统电流步进值为1 mA,控制精度达到0.1%,系统工作稳定.     

2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端

采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.     

无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布

以菲涅耳直边衍射理论为基础,通过大量实验;对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝和交叉三种衍射行为进行研究;获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性.实验表明,直边衍射的衍射腐蚀深度最大值位于直接照明区,微微偏离阴影边区域缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响;交叉衍射时,受GaAS晶体取向影响,其刻蚀条纹分布不完全对称.     

光控高温超导衰减器及光斑偏移对其光响应特性的影响

研制了工作于液氮温度的高温超导系统使用的新型光控高温超导微波可变衰减器.该衰减器的实质是利用钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性,达到了优良的衰减性能.主要结果包括:可独立使用的光控高温超导微波可变衰减器样品尺寸为12 mm×8 mm×0.5 mm,与高温超导系统集成时无需外壳,体积与重量将大幅减小;高温超导衰减器的插入损耗小于0.2 dB,比常规衰减器低1个数量级;高温超导衰减器的可变衰减精度小于0.01 dB,比常规衰减器至少低1～2个数量级;在本实验条件下,当激光光斑中心偏移微带线中心0.3、0.5和0.7 mm时,其衰减器插损将由0.08 dB变为0.05、0.03和0.01 dB,说明激光光斑偏移量是影响YBCO高温超导衰减器性能的重要因素.     

电力线通信(PLC)接入技术及各种接入方式的比较

电力线通信（PLC）接入技术，主要是指利用从配电变压器低压侧至用户内电源插座的220/380V线路实现2Mb/s及以上高速数据通信的技术。论文介绍了电力通信接入技术，影响电力线通信的主要因素，以及目前各种通信接入方式的比较。     

土坝护坡破坏原因及处理措施

绥化地区位于黑龙江省中部,南起北纬46度、北至北纬48度。夏季最高气温37℃,冬季最低气温-38℃,年平均气温2～3℃。封冻期约5个月,地面最大冻深由南至北为1.8～     

湿法腐蚀的红外热像对比研究

提出了一种研究半导体湿法腐蚀进程的红外热像法。将半导体基片浸泡于化学试剂中，利用红外热像仪探测红外腐蚀信号，并由计算机进行处理，得到热像图。对GaAs在不同配比溶剂中的腐蚀进程进行了红外热像的对比研究，结果表明：红外热像法可以观测到对比实验的显著差异，并直观地表征了基片、腐蚀剂以及腐蚀时间的相互关系。