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21.
基于现场总线的PLC控制生产系统的监控系统   总被引:4,自引:1,他引:4  
提出了一种用于镀膜生产控制的基于CC-Link现场总线和PLC控制的监控系统。PLC主要用于采集数据以及实现自动调节PID和连续控制策略。另外,带有人机界面的三菱GT Designer软件用于监控动态生产过程。  相似文献   
22.
SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行.对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验.结果 表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小.通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线.最后基于测试结果,提出了一种针对1 200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性.  相似文献   
23.
一种用于工业以太网交换机的GOOSE报文优先转发方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
GOOSE(面向通用对象的变电站事件)是IEC61850标准中定义的用于解决智能电子设备(IED)之间互相通信的数据模型,GOOSE报文用于控制开关的跳闸或者合闸等关键信息,因此要求其具有很高的可靠性与实时性.目前在智能变电站中主要使用工业以太网交换机实现GOOSE报文的传输,文章介绍了一种用于工业以太网交换机的GOOSE报文优先转发方法,给出了具体的实施流程,并进行验证,实现了GOOSE报文在网络中的可靠快速传输,特别是在网络中存在大流量高优先级背景数据时,保证GOOSE报文无丢包且传输时延不受影响.  相似文献   
24.
专业课程是课程思政建设的基本载体。在《企业财务管理》教学设计中,依据专业内容,设计思政案例,融入思政元素,明确思政目标;在《企业财务管理》教学实施中,根据课程教学目标,优化教学内容,精心组织教学,实现课程思政目标。  相似文献   
25.
随着电力通信系统的改造,越来越多的供电公司选择了异步转移模式技术组网,而电路仿真是异步转移模式网络上实现实时通信业务的重要手段。为此,首先介绍了电路仿真技术的基本原理,然后介绍了电路仿真技术在电力系统通信中的应用,最后介绍了电路仿真的时钟同步。  相似文献   
26.
介绍了电力系统保护信号的特点及其传输方式,并分析了各种传输方式的利弊。指出了保护信号的数字化、利用光纤通信进行线路保护信号的传输是线路保护信号传输的发展方向。提出了几种基于光纤通信(同步数字系列、异步转移模式和网间协议)的方案。  相似文献   
27.
碳化硅器件在高压、高频、高温、大功率、低损耗及抗辐射等方面均比硅基器件拥有巨大优势,可以极大提升电力电子系统的功率、效率、体积及重量等性能指标,在高压输变电、新能源汽车、航空航天、造舰航海等领域具有巨大的应用前景。其电气特性中的动静态特性及高温可靠性作为表征碳化硅功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块性能的必要参数是首先需要分析的环节。然而目前国内对于高压大功率碳化硅MOSFET模块的动静态及高温可靠性参数的测试分析较为贫乏。动静态参数测试是筛选功率模块性能是否达标的必备步骤,可靠性测试是验证模块处于长期高温环境中的极端工作性能,这些测试结果将是反馈优化器件设计和模块封装性能的重要基础,同时对于推动碳化硅功率MOSFET模块的发展和应用具有十分必要的意义。文中旨在较项目组前期4寸碳化硅晶圆制备的芯片封装而成的同等电压等级的碳化硅模块研究的基础上,选取优化芯片设计并在6寸碳化硅衬底上制备而成的碳化硅器件,封装成6500V/50A碳化硅MOSFET模块,并对其进行动静态及高温可靠性测试与分析,验证芯片设计、集成与封装...  相似文献   
28.
研究了一种电磁型射频(RF)微机电系统(MEMS)开关的软磁悬臂梁的制备工艺。为了得到适合MEMS器件应用的镍铁合金磁性薄膜,展开微电镀工艺分析,采用振动样品磁强计测量镍铁合金薄膜的磁参量。实验结果:最大相对磁导率约为460,薄膜矫顽力约为490A/m,饱和磁感应强度约为0.9T,剩磁感应强度为0.03~0.06T。此结果为开关结构设计优化提供了依据。  相似文献   
29.
较详细地介绍了一种利用数字通信技术来传输保护命令的新型数字保护信号系统DTPS2000。它采用了BCH纠错编码、新颖的改进最小距离译码法、CPLD和Windows界面等新的技术,使系统的性能更加可靠,使用和维护更加方便。  相似文献   
30.
结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中基于温敏电参数的方法被寄予厚望.而碳化硅MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件,温敏电参数法在其结温测量中的应用也面临着新的挑战.该文简述温敏电参数法的发展,梳理碳化硅MOSFET温敏电参数法的研究现状,重点关注温度特性及具体实现方法,从线...  相似文献   
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