用交流TSC法研究窄带Hg_(1-x)Cd_xTe中的深能级

决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A值的一个重要因素。因此,研究Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,弄清楚它对PN结性能的影响,对提高Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的性能有重要意义。研究Hg_(1-x)Cd_xTe材料中深能级的电学方法主要有三种,即深能级瞬态谱(DLTS)、导     

红外探测器发展的回顾及展望

现代的红外技术可以说是从第二次世界大战期间开始的。那时,研制出结构牢靠、性能优良的硫化铅探测器及热敏电阻型探测器,使红外技术的应用走出实验室,进入军事技术,然后是工农业生产等各领域中去。实际应用是红外技术发展的动力。其它学科,如半导体、电子学、光学、致冷技术的发展,则为红外技术的发展提供了基础。红外技术应用的不断扩张对红外探测器提出越来越高的要求,而红外探测器的新发展又为技术应用开辟新的途径。从四十年代到六十年代前期,除上面提到的两种红外探测器外,相继出现了热敏类的高     

高Tc超导红外探测器与焦平面列阵

由于实际应用,多元列阵和焦平面列阵的研制更吸引入,可以说,应用微结构工艺是很容易制成高Tc超导多元探测器的,如Honeywell公司的1×12元线阵已进行了空间环境试验.它们用掩膜方法制备了1 ×64元     

背景辐射对0.1eVHgCdTe光导探测器性能的影响

——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表面复合以及厚度的变化.并由过(?)载(?)子的连续性方程,导出了探测器量子效率的普遍表达式.     

L~3He温度下碲镉汞量子输运特性

在0.3～4.2K温度范围,观察到N-型碲镉汞的磁场诱发的金属-绝缘体转变,报道了纵向磁阻在很低的磁场下激活.讨论了纵向磁阻和横向磁阻的各向异性和反常“霍尔系数下凹”区的行为.     

Hg_(1-x)Cd_xTe中的异常红外吸收现象

从若干Hg_(1-x)Cd_xTe样品的本征吸收实验发现,在低温下,存在几个反常吸收峰。吸收的峰值位置分别在850 cm~(-1)(0.105 eV),1650 cm~(-1)(0.205 eV),2250 cm~(-1)(0.279 eV)以及3200 cm~(-1)(0.397 eV)能量位置。当样品温度下降到250 K时就可发现这些吸收峰,并随温度降低,吸收增加。在某一确定温度下,这些吸收峰的强度又随时间(10~2～10~3秒数量级)延长而增加,最后达到某一定值。     

低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应

本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．     

红外探测器的发展现状

简略评述国外近年来在红外探测器方面的研究及发展工作,包括焦平面列阵、HgCdTe及有关材料、超晶格等。文末对国内这一领域的工作提出几点建议。     

剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响

研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。     

P型闪锌矿半导体带内光吸收的计算

采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。