功率快恢复二极管反偏ESD机理分析

功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。     

GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真

针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个     

GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真

针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个     

如何确保塔式起重机使用安全

文章主要对在建筑施工中如何确保塔式起重机使用安全问题进行探讨。     

sun这一年

经历了六年的低谷后,Snu正在重新回到快车道。温和而儒雅的舒瓦茨给Sun带来了完全不同的策略和行事风格——更加彻底的开源、与多家竞争对手的结盟、对Web2.0和社区的持续关注,让Sun这家20多年的公司焕发出新的活力。     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。     

栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究

新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较.结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%.     

600V槽栅IGBT优良性能的机理分析

槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断特性、导通特性和开关特性等进行仿真分析,重点研究了2种结构在导通态时n-漂移区和沟道区各自所占的通态压降的比例以及n-漂移区内的过剩载流子数量.结果表明:2种结构的沟道区压降所占比例较小且相差很少,槽栅结构的n-漂移区内载流子数量远超平面栅结构,电导调制效果更好,即槽栅结构主要是对n-漂移区的电导调制的改善.同时研究了2种IGBT结构的Eoff-VCE(on)折中曲线,发现槽栅IGBT具有更低的通态压降和关断损耗.     

高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题,并对此进行了计算机仿真及试验研究仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高