具有新型缓冲层的IGBT特性研究

为了降低低压场终止型IGBT的工艺难度并改善其关断特性,对注氢场终止型IGBT(PFS-IGBT)的缓冲层进行了研究,引入了传统场终止型IGBT(FS-IGBT)和线性缓变掺杂场终止型IGBT(LFS-IGBT)来与PFS-IGBT作对比。PFS-IGBT的缓冲层通过多次注氢形成,从背面到内部的掺杂浓度依次降低,具有多个浓度峰值,厚度为20~30 μm。FS-IGBT的缓冲层掺杂浓度较高,厚度为5 μm。LFS-IGBT的缓冲层从背面到内部的掺杂浓度呈线性降低,其厚度为20~30 μm。采用Sentaurus TCAD对三种具有不同缓冲层结构的IGBT(600 V/40 A)的特性进行了分析。结果表明,PFS-IGBT通过控制注氢次数、剂量和能量可以获得最优的掺杂分布,器件性能与LFS-IGBT相当,比FS-IGBT拥有更平缓的电流关断波形和更强的短路坚固性。     

冀中坳陷河间南潜山油藏勘探技术

在对冀中坳陷河间南地区三维地震资料进行精细目标解释过程中，利用多种勘探技术和手段准确查明圈闭形态，对油源、储集层、封盖条件进行综合评价，从而发现和落实了一个新的潜山圈闭－－河间南潜山。经综合论证后设计钻探的M851井在雾迷山组获得了高产油气流。河间南潜山油藏的发现过程表明，潜山油田进入中后期高含水开发阶段，在发现新油藏的难度越来越大、资源接替矛盾日益突出的形势下，必须重视三维地震勘探资料采集、处理和解释技术，深化区域综合地质研究，在潜山发育带寻找富含油气的中小规模潜山油藏，为油田实现可持续发展提供资源保障。     

大气湍流下激光斜程通信误码率分析

自由空间激光通信系统的性能容易受大气湍流效应影响而下降。针对地空激光通信的实际情况,将修正Rytov方法应用于大气湍流条件下的光波斜程传输研究。基于ITU-R大气结构常数模型,建立了湍流条件下系统误码率的数学计算模型,对不同强度湍流信道的系统误码率进行了数值计算,讨论了误码率受通信高度、天顶角、工作波长及近地面风速等系统参数影响程度及变化规律。结果表明:大气湍流强度是影响系统性能的决定性因素;在相同强度湍流条件下,系统的误码率随通信高度、天顶角、风速的增大而增大,随工作波长的增大而减小。     

IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。     

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。     

爱立信的新蓝海

作为广东经济发展国际咨询会的顾问之一，爱立信总裁兼首席执行官思文凯在广东移动开通中国大陆首个移动通信网络20周年庆典之际，第三次来到广东。在过去的20年中，爱立信（www．ericsson．com．cn）与广东移动签署的设备合同总金额已经超过400亿元人民币。     

新结构微波功率SiGe HBT的数值分析

提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT),该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较,发现新结构器件的基区-集电区电容减少了55%,因而使器件的最大有效增益提高了大约2dB,其工作在低压(Vce=4.5V)和高压(Vce=28V)情况下的最高振荡频率分别提高了24%和10%.     

后勤通用厢式车反雷达隐身设计研究

从后勤通用厢式车反雷达隐身特点出发，分析了后勤通用厢式车受雷达探测威胁的主要区域，并确定了合理的雷达截面减缩量。在分析简单形体的雷达反射特性和与RCS相关的因素以及减缩RCS方法的基础上，详细分析了后勤通用厢式车的主要散射源，提出了从修改厢式车外形和采用雷达吸波复合材料及涂料两方面降低后勤通用厢式车雷达散射截面积的方法。     

埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验

提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET (BTB-JFET) ,其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd. 首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET (TB-JFET）和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET (T-MOSFET）等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论. 采用阻性负载电路. 仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET 相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%. 进行实验以证明仿真工作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的. 实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时间与开关功耗分别降低了约7.4%和11%. 因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.