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111.
反求工程的实现过程包括测量、重构和再设计三方面的内容。本文通过对Motorola8088手机翻盖实物模型的测量,在Unigraphics系统平台下进行曲面拟合和模型重建,运用Moldwizard完成了模型的整副模具的设计。 相似文献
112.
113.
利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。 相似文献
114.
115.
水库淤积初步平衡问题 总被引:2,自引:0,他引:2
水库淤积平衡问题对于确定淤积危害程度、可持续利用标准等都非常重要。本文通过分析大量已建、在建和规划水库淤积情况,对水库淤积初步平衡后淤积变化趋势与设计淤积标准等问题进行了讨论和商榷。研究表明,水库淤积初步平衡后,兴利库容淤积发展仍然很快,库尾河床与水位抬升仍在继续,并未最终稳定。水库淤积平衡应该更加注重兴利库容淤积情况和库尾河床与水位抬升趋势,仅仅关注总淤积量变化情况是不够的。从区域长远利益考虑,大江大河上的水库设计淤积年限还应大大加长。 相似文献
116.
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝. 相似文献
117.
118.
依法治水,是水行政主管部门的一项十分重要的工作,而提高水行政执法的整体效能,是坚持依法治水的重要手段。笔者结合平时工作实际,谈几点粗浅的建议。 相似文献
119.
周建军 《电脑编程技巧与维护》1994,(12)
雅奇MIS信息管理系统自动生成器(简称YQMIS)是针对企、事业单位管理信息系统需要而设计的一套自动编程系统。YQMIS具有各种菜单设计、屏幕界面设计、报表打印格式设计及其他功能模块设计能力。利用 相似文献
120.
2000年后,长江上游大型水库建设进入快速发展阶段,本文分析了长江上游60多座大型水库调节下上游主要水系出口控制水文站的径流变化过程.通过长年径流系列分析,大型水库群的调节使主要水文站汛期径流略有减少,而非汛期水量有明显增加,且径流过程比较平稳,有利于流域水资源的利用.由于水库群汛前预泄,流域5月份径流增加到汛期水平;汛后水库群蓄水,下泄径流减少到枯季水平,从而使汛期提前到来,又提前结束,汛期向前平移了一个月,显著的改变了天然径流的时空分布,将给中下游防洪形势带来新变化.根据上游水库群不同建设水平,分析了三峡枢纽的调度响应.认为在保障长江上游大型水库汛后蓄水保证率的前提下,上游水库的进一步建设有利于三峡枢纽的兴利效益. 相似文献