首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   253篇
  免费   27篇
  国内免费   17篇
电工技术   28篇
综合类   14篇
化学工业   21篇
金属工艺   5篇
机械仪表   23篇
建筑科学   8篇
矿业工程   23篇
能源动力   4篇
轻工业   3篇
水利工程   22篇
石油天然气   1篇
武器工业   8篇
无线电   57篇
一般工业技术   43篇
冶金工业   9篇
原子能技术   1篇
自动化技术   27篇
  2024年   1篇
  2023年   5篇
  2022年   5篇
  2021年   3篇
  2019年   9篇
  2018年   13篇
  2017年   7篇
  2016年   4篇
  2015年   5篇
  2014年   13篇
  2013年   9篇
  2012年   13篇
  2011年   21篇
  2010年   19篇
  2009年   13篇
  2008年   24篇
  2007年   25篇
  2006年   18篇
  2005年   12篇
  2004年   8篇
  2003年   15篇
  2002年   9篇
  2001年   14篇
  2000年   8篇
  1999年   8篇
  1998年   2篇
  1997年   6篇
  1995年   3篇
  1994年   1篇
  1992年   2篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有297条查询结果,搜索用时 0 毫秒
291.
超纯煤制备工艺研究现状及发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
简要介绍了超纯煤制备技术的研究现状,分析超纯煤制备工艺的发展方向。  相似文献   
292.
为提高负荷预测精度,更好地反映负荷的动态特性,提出了一种基于Elman神经网络的预测方法.先对负荷样本进行数据预处理,消除伪数据,然后把不同日各时刻的负荷序列作为样本,对未来时刻的负荷进行短期预测.预测实例表明,基于Elman神经网络的预测方法比基于BP神经网络的预测方法具有更好的预测效果.  相似文献   
293.
民族地区的信息化教育需求迫切,但由于多方面原因,民族地区信息化教育滞后于社会经济发展,这种情况引起了人们的高度重视.鉴于此,结合民族地区信息化教育现状及自身的教学实践,分析总结了目前民族地区信息化教育存在的问题,并提出了相应的解决对策.以期使信息技术深刻而有效地渗透到民族教育的各个方面,充分发挥信息化教育的优势,提高民族地区的教育教学质量.  相似文献   
294.
介绍了静止无功补偿器SVC和自适应动态规范的执行方法ADHDP的基本原理,基于PI控制法的电压负反馈控制策略,应用ADHDP方法对输入PI调节器的电压偏差进行了优化,并在Matlab/Sim-ulink环境下对SVC控制系统进行了仿真实验。仿真结果表明,经优化后的控制系统响应速度明显提高,动态性能得到了较好的改善。  相似文献   
295.
<正>根据生产实践设计了一种高效手动压紧钻孔装置。其压板可做90°回转,装卸零件方便、快捷。并且可调节钻套的上下位置,使其贴近零件表面,克服零件加工时孔位移的现象。直接用钻头钻孔,一次加工完成以保证零件的尺寸精度及形位公差要求。钻孔装置零件如表1所示。被加工零件如图1所示。零件定位:零件用本体定位孔及端面定位,达到五点定位,限制X、Y、Z轴轴向移动和Z、Y轴轴向转动。X向:垂直于钻床主轴的水平方向;Y向:垂直于钻床主轴的垂直方向;Z向:平行于钻床主轴方向。  相似文献   
296.
采用正交试验法(三因素三水平),研究烧结工艺(烧结温度、保温时间、升温速率)对自主设计的CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃的介质损耗的影响,因素主次顺序为烧结温度、升温速率、保温时间.选取优化工艺(烧结温度900℃、升温速率8℃/min、保温时间10min)烧结,测定介质损耗为1.81×10-4,介电常数为5.6(1MHz);对样品进行XRD衍射分析,结果表明,晶相依次为CaSiO3、CaB2O4和少量SiO2;SEM形貌分析、EDS分析验证了CaSiO3的存在;微观结构分析表明烧结温度的升高有利于晶粒长大、气孔减少、降低介质损耗.  相似文献   
297.
稀土掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响规律   总被引:2,自引:0,他引:2  
在BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统中引入硼硅酸盐助烧剂,加入不同稀土氧化物(Y,Nd,Gd,Ho,Yb,Er,Pr,Dy,La,Ce)对BT进行介电性能研究,以期获得中烧X7R陶瓷材料。研究发现,不同稀土氧化物对BT陶瓷电容量温度变化曲线低温峰(约40℃)和高温峰(约127℃)的影响可分为3类。其改性机理可用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化来解释。对比上述三种典型的稀土掺杂后BT陶瓷的电镜扫描(SEM)照片得出,不同稀土掺杂BT的室温介电常数与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况密切相关。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号