出色的乐团遇上美妙的音乐厅——香港中乐团英国行大发现

音乐的本质是声音,声音和空间关系密切,不同的音乐也就需要不同的空间,才能充份发挥音乐的特点,这是清楚不过的事,也是对音乐和对声音有所认识者的“常识”。举例来说,古琴乐器声音纤弱,最适在较细小的空间作“雅集式”演出,现时不少古琴音乐会,为求多售票,往往安排在座位盈千,空间大得多的场馆举行,不仅古琴要加上电声扩音,琴声的音韵色彩失了真,而空间太大,即使加了扩音,听来仍会让人感到空虚单薄。     

差相移式高功率铁氧体环行器的设计

介绍了一种用于高功率微波系统中的差相移式波导四端环行器,分析了环行器的工作原理,给出了实验结果及高功率讨论。     

短波OFDM系统中基于迭代插值的信道估计

经典的线性插值算法具有实现简单的优点,但短波信道是靠电离层反射进行通信,而电离层的分布是随机变化的,导致短波信道随机变化.所以数据子载波的频域响应与相邻导频子载波频域响应之间不再满足线性关系,即线性插值算法不适用于短波OFDM系统中.基于此提出了一种迭代的插值算法,该算法利用了两个距离最近的子载波的信道响应的相关性越大的原理,利用信号的相关性进行迭代,从而得出频域的信道估计.仿真表明,该插值算法有效拟合了短波信道特性曲线,降低了系统的误比特率和均方误差.     

压力传感器用NiCr纳米薄膜

采用离子束溅射纳米薄膜技术和半导体微细加工技术,将纳米薄膜应变电阻直接制作在金属弹性体上,实现了敏感元件与弹性体的原子结合,有效地解决了传统压力传感器中"零点漂移"技术难题,真正实现了在高温、振动等恶劣环境下的长期稳定性和可靠性.     

一种新型极化抗干扰技术研究

 传统雷达采用单极化形式,没有利用目标和干扰的极化域特征,文章在分析了常规极化抗干扰原理和性能的基础上,提出了一种新型的交叉极化抗干扰天线阵列,分析了该种天线的极化抗干扰性能,仿真和实验数据表明,交叉极化天线阵列不仅具有较好的极化抗干扰性能,同时降低了整套雷达的设备量,具有广泛的应用前景.     

一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计

本文介绍了一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM 公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm 的RT-Duroid 5880 软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA 接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42 GHz, 射频在40～60GHz 范围内变化时,其变频损耗小于8.71 dB,本振到射频的隔离度大于25dB。     

平面三频单极子手机天线设计

提出一种平面三频单极子手机天线,该天线通过对天线辐射贴片进行弯折、开缝等手段在单一天线上实现三频。天线的工作频段完全覆盖了GSM900M（890MHz~915MHz）,DCS1800M（1.71GHz~1.88GHz）,Bluetooth（2.4 GHz~2.48 GHz）的所有频率,工作性能良好。该天线结构易于实现,便于集成,适合在移动通信中大规模使用。     

光电自准直系统的建模方法研究

针对现有自准直模型包含系统信息量有限的不足,提出了一种基于厚透镜对光线变换的建模方法.以应用光学中厚透镜对光线变换的理论为基础,结合矢量运算和坐标系旋转方法建立了光电自准直系统数学模型.通过数值仿真,对模型中包含的平面镜的转角、透镜的厚度、焦距及表面曲率半径、光源和探测器位置等系统主要参数对光电自准直系统的成像影响进行了分析,并通过对像点几何中心的提取,分析了透镜成像畸变对光电自准直系统测量精度的影响.文章建立的模型,为系统参数的提取和优化、分析像点轨迹变化的影响因素以及自准直测量误差的分析和补偿提供了理论支持.     

304不锈钢激光冲击处理后的残余应力产生机理

利用激光冲击波对304不锈钢表面进行了强化处理,用电子扫描电镜观察了激光强化处理后表面显微组织结构的变化,并测定了其显微硬度和残余应力,分析了激光冲击处理后显微硬度和残余应力的分布规律,并对残余应力产生的微观机理进行了讨论.实验结果表明:激光表面强化处理后,冲击区微观结构中产生了微塑性变形,显微硬度从基材的220 HV提高到冲击区的310 HV;用X射线分析仪测得冲击区残余压应力为-200 MPa以上,有利于提高其疲劳寿命;在激光冲击波作用下,材料表面发生的塑性变形不能完全恢复,是残余压应力产生的主要因素.     

La2O3掺杂对TiO2系压敏陶瓷结构和性能的影响

采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。