全文获取类型
收费全文 | 5718篇 |
免费 | 329篇 |
国内免费 | 264篇 |
专业分类
电工技术 | 411篇 |
综合类 | 376篇 |
化学工业 | 921篇 |
金属工艺 | 296篇 |
机械仪表 | 427篇 |
建筑科学 | 514篇 |
矿业工程 | 442篇 |
能源动力 | 138篇 |
轻工业 | 491篇 |
水利工程 | 237篇 |
石油天然气 | 249篇 |
武器工业 | 72篇 |
无线电 | 539篇 |
一般工业技术 | 319篇 |
冶金工业 | 225篇 |
原子能技术 | 46篇 |
自动化技术 | 608篇 |
出版年
2024年 | 35篇 |
2023年 | 111篇 |
2022年 | 154篇 |
2021年 | 139篇 |
2020年 | 93篇 |
2019年 | 126篇 |
2018年 | 141篇 |
2017年 | 86篇 |
2016年 | 88篇 |
2015年 | 112篇 |
2014年 | 209篇 |
2013年 | 177篇 |
2012年 | 261篇 |
2011年 | 232篇 |
2010年 | 265篇 |
2009年 | 241篇 |
2008年 | 263篇 |
2007年 | 212篇 |
2006年 | 226篇 |
2005年 | 239篇 |
2004年 | 212篇 |
2003年 | 177篇 |
2002年 | 181篇 |
2001年 | 170篇 |
2000年 | 190篇 |
1999年 | 149篇 |
1998年 | 118篇 |
1997年 | 148篇 |
1996年 | 126篇 |
1995年 | 159篇 |
1994年 | 181篇 |
1993年 | 110篇 |
1992年 | 134篇 |
1991年 | 111篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 101篇 |
1988年 | 95篇 |
1987年 | 115篇 |
1986年 | 72篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 45篇 |
1983年 | 40篇 |
1982年 | 40篇 |
1981年 | 27篇 |
1980年 | 20篇 |
1979年 | 8篇 |
1978年 | 9篇 |
1965年 | 5篇 |
1958年 | 4篇 |
1955年 | 4篇 |
排序方式: 共有6311条查询结果,搜索用时 0 毫秒
121.
校园网宿舍网络管理模式的探讨 总被引:9,自引:1,他引:9
讨论了高校学生宿舍区网络的特点,结合天津商学院校园网的实践,讨论了校园网宿舍网络管理的模式。 相似文献
122.
网络媒体必须增强社会责任感 总被引:2,自引:0,他引:2
"2003中国网络媒体论坛"于10月10日在北京开幕.国务院新闻办公室副主任蔡名照发表了主旨讲话.以下是讲话的部分内容. 相似文献
123.
124.
125.
有限精度混沌系统的m序列扰动实现 总被引:62,自引:3,他引:62
本文研究利用m序列的扰动来实现有限精度混沌系统的方法,考察了扰动序列的周期,幅度以及扰动分布对混沌信号特性的影响,研究表明,扰动m序列所需的阶数取决于混沌序列所需要达到的周期长度,扰动的位数取决于混沌映射的最大斜率,随着混沌系统实现粗度的提高,所需的扰动幅度呈指数减小。 相似文献
126.
混沌非线性反馈密码序列的理论设计和有限精度实现 总被引:30,自引:2,他引:30
本文利用一类特殊的一维分段线性混沌系统,来产生具有均匀不变分布函数和δ自相关函数特性的连续混沌信号,这类连续混信号经过不可逆变换可生成具有理想保密性的二进制混 列。本文分析了该混沌系统的有限精度效应并提出一类m序列扰动实现方法,,与传统密码序列相比,混沌非线性反馈密码序列不仅具有丰富的源泉,而且设计异常方便,性能易于控制。 相似文献
127.
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37As/InP压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K,发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关,对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单 相似文献
128.
研究了光漂白过程对PMMA/DR1聚合物薄膜非线性吸收的影响,实验结果表明经过光漂白后其双光子吸收系数减小。 相似文献
129.
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
130.
针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求. 相似文献