功能性聚合物基纳米复合材料

纳米复合材料是指分散相大小为纳米级（一般为1~100 rim）粒子均匀分散于基体中,可发挥各组元材料的优点,克服单一组元的缺陷,具有某种特殊性能或良好综合性能的材料。对聚合物基纳米复合材料研究现状进行了概述,并对其分类、应用、性能等方面的国内外研究进展进行了全面综述。     

碘化铅对Dy3+掺杂GeS2-Ga2S3玻璃荧光光谱性质的影响

采用熔融淬冷法制备了掺杂浓度为0.3%(质量分数)的Dy3+:(100–x)(0.8GeS2–0.2Ga2S3)–xPbI2(x=5,10,15,摩尔比)系列硫卤玻璃样品,测试了样品热稳定性、折射率、密度、吸收光谱、近红外及中红外荧光光谱。应用Judd–Ofelt理论计算了Dy3+在系列样品中的强度参数(Ωt,t=2,4,6)、自发辐射跃迁几率、荧光分支比以及辐射寿命等光谱参数。讨论了PbI2含量对样品的吸收光谱、光谱参数以及荧光光谱的影响。在Dy3+掺杂样品中,PbI2含量的增加有效地提高了1 330 nm和2 860 nm处的荧光强度。计算了0.3%Dy3+掺杂68GeS2–17Ga2S3–15PbI2玻璃在1 330 nm和2 860 nm处的受激发射截面值分别为3.63×10–20 cm2和1.57×10–20 cm2,2 860 nm处的量子效率为83.8%。     

广西某既有居住建筑节能改造适宜技术分析

以广西某既有住宅节能改造试点工程为例,通过分析不同的技术方案,提出了针对广西地区既有住宅节能改造行之有效的技术措施,并运用节能计算软件对其节能改造前后的能耗情况进行模拟计算分析,以此检验该住宅楼的节能改造效果.     

基于SCT-IMM的临近空间高超声速目标跟踪模型

针对传统单模型跟踪方法不能有效跟踪临近空间高超声速目标飞行全过程的问题,提出了一种基于SCT-IMM的跟踪模型.在分析临近空间高超声速目标特性的基础上,建立了一种基于一阶时间相关模型的转弯模型(Singer Coordinate Turn,SCT),结合EKF滤波方法,采用CV、CA和SCT模型进行IMM滤波计算.仿真结果表明,新模型计算量略大于单模型,但新模型能够适用于跟踪临近空间高超声速目标的所有飞行阶段,且位置均方根误差和速度均方根误差都小于单模型,具有一定工程实践意义.     

高强度硫系玻璃微结构光纤研究

针对硫系玻璃微结构光纤缺少有效制备方法的问题 ,本文选用可塑性较好的Ge₂₀Sb₁₅Se₆₅硫系玻璃,利用自制的硫系玻璃挤压机制备了多孔硫系玻 璃微结构光纤(CGMOF)。利用红外热像仪以及傅里叶红外光谱仪测试了挤压前后玻璃的红外 透过性能、根据不同厚度玻璃片的透过谱,计算了挤压后玻璃的光学损耗特性。利用扫描电 子显微镜观察拉制光纤的横截面,测试了光纤的直径。分析结果表明,挤压后的硫系玻璃的 红外透过 率和损耗较挤压前没有显著的变化。挤压前后的硫系玻璃在10μm处的光学损耗分别为0.25dB/cm和0.27dB/cm。利用与硫系玻璃具有相近软化点的塑料(PES)聚合物作 为 光纤的保护层,光纤的抗拉强度是标准石英光纤的1.45倍,显著提高了CGMOF的强度。     

工业标准信号产生与测量仪表设计

介绍了基于MSP430F42x系列MCU工业信号产生与测量仪表,该仪表可以产生工业电压、电流及频率信号,并对这些信号进行准确测量;同时阐述了该仪表的工作原理,给出了该仪表的原理框图和主要电路原理图。实验证明该仪表是实用的和成功的,可以实现预定的设计功能。     

新型磁流变阻尼器绕线缸体材料对磁场性能的影响

设计了一种新型差动自感式磁流变阻尼器(DSMRD),研究中发现该阻尼器中的绕线缸体在磁场中容易产生漏磁现象。基于此现象,建立了不同绕线缸体材料的DSMRD磁场仿真模型,对绕线缸体构成材料与漏磁之间的关系进行了仿真分析。仿真结果表明:导磁缸体较不导磁缸体具有更好的磁场吸附能力,且能产生更高的感应电动势;采用铝和不锈钢这两种不导磁材料制成的绕线缸体产生的磁场强度接近,并且产生的感应电动势也基本相同。因此可通过改变绕线缸体材料来达到优化DSMRD的自感磁场和阻尼磁场的目的。     

钎焊铝制热交换器用无腐蚀铝钎剂的研究

以AlF3-KF共晶化合物钎剂为基础,在不改变其无腐蚀性质的情况下,通过添加助剂,对其进行改性。添加无机助剂,提高了钎剂的去膜能力和助焊性;添加有机助剂,提高了钎剂在水中的抗沉降性能,从而达到能高效应用于钎焊铝制热交换器的目的。     

江汉平原地区楸树丰产栽培管理技术

本文介绍了江汉平原地区楸树丰产栽培管理技术,主要包括楸树品种选择、栽植地选择、苗木处理、栽植方法、间作模式、整形修剪、施肥、灌溉及病虫害防治等方面,以期为楸树大面积推广提供技术参考。     

直拉式单晶硅生长炉超导磁体研究

高集成度芯片发展使半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。直拉法（Cz 法）可生成大尺寸硅单晶,但生长中产生热对流,边界层不稳定,晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果,通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于现有研究结果提出了一种用于单晶炉的瓦状结构超导磁体,确定线圈结构参数、导体类型、屏蔽体厚度及磁芯高度,使其满足大尺寸、高品质单晶硅生长所需的磁场强度（约 0.5T）及磁场位型,从而降低漏磁。借助数值分析优化超导磁体结构参数,有望为后续的 MCZ 硅单晶生长工艺参数提供参考。