实现实时套刻对位的仿射变换最优匹配参量计算公式

本文讨论了对一般目标图像的对准方法,采用仿射变换模型,舍弃借助迭代法搜索图像最佳配准参数的传统方式,使用推导公式一步计算图像的平移旋转参数。该公式运用仿射变换单应矩阵最小二乘运算模型推导所得,首次得到可单步计算目标图像与待对准图像对位参数的计算算法,大大提高运算效率,实现了实时对位的功能,最后通过实验验证算法的有效性。     

移动焦平面正反面曝光制备SU-8微结构及PDMS浓度梯度产生器

针对芯片实验室对浓度梯度产生器（CGG）的需求,为制作侧壁垂直的CGG,提出了一种移动焦平面正反面曝光制备SU-8光刻胶微结构的方法。该方法根据焦深将SU-8厚度分成多层,每曝光一次焦面向下移动一层,当曝光层数达到总层数一半时将样品翻转,同样采用移动焦面重复曝光的方式使SU-8内部形成光化学反应通道,得到充分曝光。最终利用SU-8微结构制作出聚二甲基硅氧烷(PDMS) CGG。测试结果表明：SU-8微结构实际轮廓侧壁垂直,没有出现“T”形结构,沟道高度为49.4μm; PDMS CGG侧壁垂直,沟道深度为49.3μm,满足CGG侧壁垂直要求。     

大面积循环扫描投影光刻对准系统设计和分析

设计了大面积循环扫描投影光刻的高精度对准系统,由CCD传感器、图像识别软件和共焦显微镜组成的光学测量系统和对掩模和基片的相对位置作二维和角度及时修正的精密定位系统两部分组成.标记图像的二维方向扫描分别借助光刻平台的移动和振镜的高频振动来完成.理论分析了标记位矢对准、共焦成像和CCD信号相关双采样关键技术.根据掩模和基片对应位矢的夹角余弦值大小控制基片的旋转和平动,对准更方便快捷;由共焦成像系统二维响应函数的推算,针孔滤波对提高成像分辨率很重要;对CCD像元电荷包实时准确地采样,是排除噪声干扰的关键.     

BaTiO3：Ce桥式互泵浦相位区轭

在ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ光折变晶体中实现了桥式互泵浦相位共轭，它和以往所有的互泵浦相位共轭镜不同这这处在于这种日 体的ａ面入射光能产生强的自泵浦相位共轭，这使桥式互泵浦相位共轭产生的条件极为苛。     

BaTiO3：Ce自泵浦相位共轭镜的非相干光擦除理论分析和实验研究

本文对ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ自泵浦相位共轭镜受寄生光的影响其相位共轭主不栅耦合强度的变化进行了数值求解，对非相干光擦除作用下的自泵浦相位共轭过程进行了理论分析，并且从相应的实验证实，用非相干光选择区域擦除能减少和抑制寄生光栅，从而能提高自泵浦相位共轭反射率。     

APD单光子探测技术

单光子探测器是量子保密通信的主要器件,同时也是量子通信中重要的研究课题。本文分别介绍了量子保密通信用APD单光子探测技术及其工作在无源抑制、有源抑制和门模式下的基本工作特性,分析了他们各自的优缺点及其未来的发展方向。     

C_(60)水溶胶的反饱和吸收与光限制效应

本文首次报道了C60水溶胶反饱和吸收和光限制效应的实验研究结果。利用532nm；15ns激光研究此样品的激光透过特性，观测到反饱和吸收过程，即实现了光限制效应。与C60苯溶液相比有较好的光限制效应。     

一种新型PCB数字光刻投影成像技术

为了满足微米量级印刷电路板(PCB)光刻的需求,提出了一种新型PCB数字光刻投影成像技术。利用ZEMAX光学设计软件设计并优化了双高斯结构型光刻投影物镜。该物镜具有双远心结构,可以避免数字微反射镜(DMD)偏转产生离焦,分辨率可达13.68 mm,数值孔径NA=0.045,焦深为200 mm,严格控制像面畸变量小于0.03%。采用DMD多光束倾斜扫描技术,将DMD旋转一定的角度,利用曝光点的位置与光斑重叠积分能量的多少,形成更小的像素尺寸,提高了网格精度。基于该投影成像技术进行了光刻实验,实验结果证实了该投影成像技术的可行性,通过控制网格精度既能实现整数像素以外的线宽又能提高图像的分辨率和光刻效率。     

APD单光子探测技术

单光子探测器是量子保密通信的主要器件，同时也是量子通信中重要的研究课题．本文分别介绍了量子保密通信用APD单光子探测技术及其工作在无源抑制、有源抑制和门模式下的基本工作特性，分析了他们各自的优缺点及其未来的发展方向．     

电化学处理对П共轭聚合物阳极特性的改善

研究了电化学对聚合物发光二极管空穴注入和传输层(PEDOT薄膜,polyethylene dioxythiophene)的掺杂处理.由这种薄膜与ITO(indium-tin oxide)构成的双层阳极明显地改善了器件性能,当以MEH-PPV(poly(2'-methoxy,5(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene))为发光聚合物时,器件的工作电压得到了降低;当以PFO(poly(2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene))作为发光聚合物时器件的最大外量子效率提高到0.6%.