硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。     

流动催化法制备碳纳米纤维工艺的研究进展

流动催化法是最有潜力实现碳纳米纤维工业化的生产方法。重点综述了在制备过程中温度、催化剂、载气及促进剂等因素对碳纳米纤维生长影响的研究进展,提出了综合优化各个反应参数的新思路以及该方法的未来发展方向。     

金属催化剂对碳纳米纤维结构影响的研究进展

综述了不同种类的金属催化剂及同种催化剂不同状态对碳纳米纤维的结构和形貌的影响,并对今后自组装生产各种结构形态的碳纳米纤维进行了展望。     

计算非晶硅肖特基二极管电学参数的新方法

<正> 一、 引言 非晶硅(α-Si)肖特基二极管是最基本的太阳能电池,但要从理论上计算其电学参数是比较困难的,因为必须知道材料能隙中的定域态密度分布g(E)。1972年以来虽已发展了多种技术(FE,SCLC,DLTS等)来测定g(E),但是没有一种方法是完善的,而且在分布形式和数值上的差别都显得很大,这给器件分析带来了困难。因而人们以传统的利用模型来研究隙态密度,对g(E)引入了各种各样的数学模型。但目前尚无足够的证据说明何种模型是正确的,所以在α-Si器件分析中只能靠直觉来选择模型,而且往往有所困惑。 本文提出了计算α-Si肖特基二极管电学参数的一种新方法,可以在不知道g(E)的具体分布形式下,计算出其电学参数,而且也不涉及选择模型的问题。     

掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.     

硅纳米线的制备与生长机理

硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料.本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气-液-固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固-液-固生长机理等作了较为详尽的论述.     

硅纳米管的理论及制备研究进展

硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.     

无金属催化化学气相沉积制备球形碳

研究了温度及碳源气体对无金属催化化学气相沉积制备球形碳的影响,用高分辨透射电镜(HR-TEM)、扫描电镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)对实验结果进行表征。研究表明,温度和碳源气体对球形碳的粒径、均匀性以及分散性有着重要的影响。当以甲烷为碳源,在1200℃下制备球形碳时,所得碳球的粒径均匀,且分散性较好。此外,还对无金属催化化学气相沉积的生长机理进行了讨论。     

硅纳米晶粒的发光特性及其应用

硅纳米晶粒具有独特的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性,在纳米光电子器件中具有巨大的潜在应用价值.通过近年来硅纳米晶粒的研究成果,总结了影响硅纳米晶粒发光特性的各种因素和各种条件下的发光机制,并综合评述了硅纳米晶粒在发光二极管、激光器等纳米发光器件及荧光粉等方面的应用,指出了未来硅纳米晶粒的研究方向.     

Microstructure transformation of carbon nanofibers during graphitization

The microstructures of vapor-grown carbon nanofibers（CNFs） before and after graphitization process were analyzed by high resolution transmission electron microscopy（HRTEM）, Raman spectroscopy, X-ray diffractometry（XRD）, near-edge-X-ray absorption fine structure spectroscopy（NEXAFS） and thermogravimetric analysis（TGA）. The results indicate that although non-graphitized CNFs have the characteristics of higher disorder, a transformation is found in the inner layer of tube wall where graphite sheets become stiff, which demonstrates the characteristics of higher graphitization of graphitized CNFs. The defects in outer tube wall disappear because the amorphous carbon changes to perfect crystalline carbon after annealing treatment at about 2 800 ℃. TGA analysis in air indicates that graphitized CNFs have excellent oxidation resistance up to 857 ℃. And the graphitization mechanism including four stages was also proposed.