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71.
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。 相似文献
72.
基于弛豫空间倍增理论数值模型和修正的弛豫空间倍增理论模型,分析了不同倍增级数和不同载流子初始能量时级联倍增雪崩探测器的过剩噪声.研究了不同碰撞离化倍增层厚度、不同电子预加热层厚度、不同电场控制层掺杂浓度对过剩噪声因子的影响.同时,比较了DSMT模型、Van Vilet模型和McIntyre模型得到的结果.通过调整碰撞离化倍增层厚度、电子预加热层厚度和电场控制层掺杂浓度,DSMT数值模拟获得了一个相对优化的结构,其过剩噪声与Van Vliet模型k_s=0. 057时相当. 相似文献
73.
74.
羟基铁柱撑剂性能对柱撑蒙脱土层间距的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
考察柱撑蒙脱土层间距与羟基铁在制备及插层过程性能的关系,测定羟基铁插层蒙脱土过程溶液电导的变化规律;研究老化时间对羟基铁柱撑剂的粒度、电导及所制得的柱撑蒙脱土层间距的影响;碱化剂加入量对羟基铁柱撑剂粒度及所制得的柱撑蒙脱土层间距的影响.实验结果表明蒙脱土达到饱和吸附所需羟基铁柱撑剂的加入量为铁离子毫摩尔数与蒙脱土克数之比等于10;采用碱化剂加入量Na2CO3/Fe(NO3)3摩尔比等于0.5制备羟基铁柱撑剂插层蒙脱土,可制得层间距较大的柱撑蒙脱土;老化时间为4天的羟基铁柱撑剂插层蒙脱土能得到晶体比较规整的羟基铁柱撑蒙脱土.由实验数据分析可知,柱撑蒙脱土层间距的尺寸大小与柱撑剂的粒度及荷电性能有关. 相似文献
75.
76.
水是人类赖以生存和发展的且是任何物质都不可替代的重要自然资源,水也是社会进步的一种体现。但是,随着社会经济的日益发展和人类生活水平的提高,水污染越来越严重。本课题以酸性废水为实验对象,根据它的水质特征,主要对此处理工艺的关键单元——混凝单元进行理论和实验研究。 相似文献
78.
油气混输泵管道多次出现破漏,造成较大的经济损失与环境污染。割开检查发现底部有一道深深的沟槽,沟槽较窄,棱角分明。研究认为,这种沟槽的形成不是化学腐蚀,也不是材质缺陷,与层流、紊流无关,而是油气混输泵运行产生的一种固有的旋流造成的。由于油井出砂,砂子通过油气混输泵后获得新的能量,在管线内作旋转运动,其运行轨迹先是柱状,后逐渐转变为斜锥状,最后旋流锥尾与管底接触,对管底进行径向切削,从而形成沟槽,这种沟槽长度有限,位置相对固定。除砂或采用局部外加厚管道是解决该问题的主要措施。 相似文献
79.
在我国提出支持制造业高质量发展、加快推进传统产业转型升级和技术改造,向高端化、智能化、绿色化发展的背景下,智能起重机在智能制造领域的应用场景越来越普遍,但其智能化应用存在智能化要求不明、标准文件空缺的问题。文中探索智能起重机在各细分行业标准化情况,以及各类专项标准相继发布的现状,提出了以《国家智能制造标准体系建设指南(2021版)》为导向自主研制或以ISO/IEC文件为基础研制智能起重机标准体系,智能起重机基础共性标准、关键技术标准,联合相关方制定行业应用标准。同时提出在国家标准或行业标准制定前,建议各社会团体根据行业特色制定高质量的团体标准,及时填补本领域标准空白,推动智能起重机在智能制造标准化领域高质量发展。 相似文献
80.