反应离子深刻蚀（RIE）技术的研究

本文概述了微机的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用。采用ＮＦ３ＴＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２混合气体，在平板型反应离子刻蚀仪上，对硅进行了反应离子深刻蚀的研究，获得了一批经验数据。     

火箭弹外流场数值模拟

火箭弹是一种主要常规弹药,由于其有射程远、火力密集、发射时后坐力小等优点,一直被很多国家受到重视。文章主要借助FLuENT软件,具体分析火箭弹在飞行过程中所受到的部分力,旨在为火箭弹优化设计过程中提供仿真数据参考。     

金属薄膜的电迁移激活能

电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0(2(T-T_e) α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2%Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯Al薄膜的Q值与原作者一致。     

ACTIVATION ENERGY OF ELECTROMIGRATION IN THIN METAL FILMS

电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0(2(T-T_e)+α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2％Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯Al薄膜的Q值与原作者一致。